半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术的半导体元件的制造方法，其目的在于以高精度分割含有基板的晶片。该半导体元件的制造方法，具有如下工序：激光照射工序，在构成晶片（１）的基板（１０）的内部会聚脉冲激光，将在所述基板（１０）的内部间隔开的多个加工部（１２）沿着分割预定线形成，并且使龟裂（１３）发生，该龟裂（１３）从加工部（１２）至少蔓延至基板（１０）的表面且将邻接的加工部（１２）连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割晶片（１）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及具有分割包含基板在内的晶片的工序的。
技术介绍
在半导体元件的制造中，包括将晶片分割成元件基片的工序，在该元件基片的分割中，所采用的是以切割机和划片机等形成分离槽而进行压切的方法。近年来，提出有取代切割机和划片机而通过照射激光来形成分离槽等进而进行切断的方法，但是，在通过激光的照射而使晶片加热熔融的方法中，熔融再凝固的地方会变色，发光元件的亮度降低，因此提出有使用短脉冲宽度的脉冲激光进行加工的方法。通过使用短脉冲宽度的脉冲激光，进行的是不会发生熔融、避免了多光子吸收造成的变色的加工，因此可以抑制发光元件的亮度降低。作为使用了短脉冲宽度的脉冲激光的元件基片分割的方法，提出有一种切断的方法，其如图12所示，是在设有半导体层42的基板40内部的分割预定线所对应的区域中，形成由激光照射造成的变质区域41 (参照特开2008-6492号公报)。另外还提出有一种方法，如图13所示，是在设有半导体层52的基板50内部形成多级由激光照射造成的改质部51，再通过激光照射在基板50的表面形成连续的槽部 53，由此从沿着多级的改质部51和槽部53的分离面分离各半导体发光元件(参照特开 2008-98465号公报和特开2007-3对幻6号公报)。但是，只在基板的内部形成由脉冲激光造成的变质区域而进行晶片分割的方法中，通过施加外力，从内部的变质区域朝向基板的表面和背面使裂纹发生，由此进行割断， 因此控制裂纹的走向会困难，会在不同于预期的分割区域的位置发生破裂。另外，通过在基板表面照射激光而形成槽部的方法，是将历来由切割机和划片机形成的分离槽的形成手段变更成激光的方法，与利用切割机和划片机开分离槽的切断同样的是难以控制裂纹的走向。此外，若为了形成槽部而在基板表面会聚激光，则由于基板表面的凹凸和激光装置的聚光精度的问题，导致激光的焦点在基板的外侧合焦。如果在基板外的空气中合焦，则在这部分会发生等离子体，激光的能量的一部分被浪费。
技术实现思路
本专利技术者为了解决上述课题而进行了锐意研究，其结果发现，通过激光照射发生加工部和龟裂，该龟裂从加工部向基板表面蔓延且连接邻接的加工部间，由此能够解决上述课题。本专利技术的，具有如下工序激光照射工序，在构成晶片的基板的内部会聚脉冲激光，将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成， 并且使龟裂发生，该龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且使邻接的所述加工部连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割所述晶片。本专利技术的中，能够组合以下的构成。龟裂将在所述基板的内部邻接的所述加工部连接。加工部具有头部和足部，所述龟裂将邻接的所述加工部的头部和足部连接。脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离，是所述脉冲激光的加工点直径的二分之一以上、25 μ m以下。脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离为5μπι以上、25μπι以下。加工部间的距离是所述脉冲激光的加工点直径以上。加工部和所述龟裂在所述基板的厚度10%以上、80%以下的范围内形成。分割预定线是第一分割预定线，所述龟裂是第一龟裂，在激光照射工序中，还沿着与所述第一分割预定线大体垂直的第二分割预定线， 在所述基板的内部会聚脉冲激光，且将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使第二龟裂发生，该第二龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且使邻接的所述加工部连接，在晶片分割工序中，还沿着所述第二分割预定线分割所述晶片。第一龟裂在邻接的所述加工部间迂回蔓延，所述第二龟裂沿着所述第二分割预定线蔓延。沿着所述第一分割预定线形成的所述加工部的间隔，比沿着所述第二分割预定线形成的所述加工部的间隔小。所述基板具有第一主面和第二主面，在所述第一主面设有半导体层，在所述激光照射工序中，从所述第二主面侧照射所述脉冲激光。所述脉冲激光的会聚位置和所述半导体层的距离比30 μ m大。加工部是基于多光子吸收的加工部。基板是蓝宝石基板。第二主面是与A面不同的面，所述第一分割预定线是与所述基板的a轴交叉的线。通过激光照射，使加工部和龟裂发生，该龟裂从加工部向基板表面蔓延且使邻接的加工部间连接，由此可以沿着加工部和龟裂高精度地进行分割。沿着分割预定线照射激光，首先沿着分割预定线的龟裂能够从加工部到达基板表面，且使从龟裂和加工部延伸的裂纹沿着分割预定线朝向基板的背面。由此，能够高精度地分割晶片。附图说明图1是说明实施方式的主要工序的平面模式图。图2是说明实施方式的主要工序的平面模式图。图3是图2的A-A线的剖面模式图。图4是图2的B-B线的剖面模式图。图5是说明实施方式的工序的一例的剖面模式图。图6是说明实施方式的主要工序的剖面模式图。图7是说明实施方式的发光元件的侧面的一部分的模式图。图8是说明实施方式的工序的一例的平面模式图。图9是说明实施方式的工序的一例的平面模式图。图10是说明实施方式的工序的一例的平面模式图。图11是说明实施方式的工序的一例的平面模式图。图12是说明现有的制造方法的模式化的立体图。图13是说明现有的制造方法的模式化的立体图。具体实施例方式本实施方式的，具有沿着分割预定线照射激光的激光照射工序、和沿着分割预定线分割晶片的晶片分割工序。在激光照射工序中，照射脉冲激光而在基板内部形成多个加工部、并且产生龟裂，该龟裂从加工部至少蔓延至基板的表面、且使邻接的所述加工部连接。以下，参照附图详细地说明本专利技术的方法的实施方式。还有，附图是模式化地表示，存在一部分被夸张，与实际有所差异的情况。另外，本专利技术并不受以下的实施方式和实施例限定，可以在不脱离本专利技术的技术思想的范围内进行各种变形。(激光照射工序)图1和图2是说明作为本实施方式的主要的工序的一部分的平面模式图。对于具有基板10、且在分割后成为半导体元件的晶片1，首先，沿着图1所示的分割预定线11进行激光照射。在基板10的内部使脉冲激光会聚，如图2所示，能够形成多个互相间隔开的加工部12。另外，同时能够使龟裂13发生，该龟裂13从加工部12至少蔓延至基板10的表面、且使邻接的加工部12连接。还有，虽然未图示，但还存在的情况是，在基板表面，除了连接加工部间的龟裂以外，也会有向其他方向延伸的龟裂发生。通过至少使连接邻接的加工部的龟裂发生，能够高精度的分割晶片。在此，优选使从全部的加工部12向基板10的表面蔓延的龟裂发生，但是至少在多个加工部使蔓延至基板的表面的龟裂发生即可。另外，虽然优选连接全部邻接的加工部而使龟裂发生，但是至少在多个位置有连接邻接的加工部的龟裂发生即可。此外，优选针对于1个加工部，使蔓延至基板的表面的龟裂和到达邻接的加工部的龟裂发生，但蔓延至基板的表面的龟裂和连接邻接的加工部的龟裂也可以在不同的加工部形成。图2中为了说明而示出加工部12的位置，实际的加工部12如图3所示，形成于基板10的内部。图3是从图2的A-A线观看的剖面模式图。在基板10的第一主面IOa设有半导体层14。通过激光照射，在基板10的内部形成有加工部12，并且从加工部12到达基板第二主面IOb的龟裂13发生。由这样的龟裂13连接邻接的加工部12，从而如图2所示， 沿着分割预定线的线状的龟裂13在基板10的表面产生。龟裂从加工部发生。即，认为使脉冲激光会聚，在聚光位置附近形成加工部本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体元件的制造方法，其中，具有：激光照射工序，在构成晶片的基板的内部会聚脉冲激光，将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使龟裂发生，该龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且将邻接的所述加工部连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割所述晶片。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：为本广昭，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP