半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术的半导体元件的制造方法，其目的在于以高精度分割含有基板的晶片。该半导体元件的制造方法，具有如下工序：激光照射工序，在构成晶片（１）的基板（１０）的内部会聚脉冲激光，将在所述基板（１０）的内部间隔开的多个加工部（１２）沿着分割预定线形成，并且使龟裂（１３）发生，该龟裂（１３）从加工部（１２）至少蔓延至基板（１０）的表面且将邻接的加工部（１２）连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割晶片（１）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及具有分割包含基板在内的晶片的工序的。
技术介绍
在半导体元件的制造中，包括将晶片分割成元件基片的工序，在该元件基片的分割中，所采用的是以切割机和划片机等形成分离槽而进行压切的方法。近年来，提出有取代切割机和划片机而通过照射激光来形成分离槽等进而进行切断的方法，但是，在通过激光的照射而使晶片加热熔融的方法中，熔融再凝固的地方会变色，发光元件的亮度降低，因此提出有使用短脉冲宽度的脉冲激光进行加工的方法。通过使用短脉冲宽度的脉冲激光，进行的是不会发生熔融、避免了多光子吸收造成的变色的加工，因此可以抑制发光元件的亮度降低。作为使用了短脉冲宽度的脉冲激光的元件基片分割的方法，提出有一种切断的方法，其如图12所示，是在设有半导体层42的基板40内部的分割预定线所对应的区域中，形成由激光照射造成的变质区域41 (参照特开2008-6492号公报)。另外还提出有一种方法，如图13所示，是在设有半导体层52的基板50内部形成多级由激光照射造成的改质部51，再通过激光照射在基板50的表面形成连续的槽部 53，由此从沿着多级的改质部51和槽部53的分离面分离各半导体发光元件(参本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体元件的制造方法，其中，具有：激光照射工序，在构成晶片的基板的内部会聚脉冲激光，将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使龟裂发生，该龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且将邻接的所述加工部连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割所述晶片。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：为本广昭，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP