带扩张装置制造方法及图纸

一种带扩张装置，在被粘贴于板状工件上的扩张带具有在被加热后冷却的过程中会收缩的性质的情况下，在通过扩张带的扩张使芯片间隔扩大后，迅速去除扩张带中在板状工件粘贴部分的外周侧产生的松弛。带扩张装置具有：框架保持单元，其保持环状框架（１０５），该框架在开口部中借助扩张带（１０４）来支承分割前的板状工件（１００）或已被分割为芯片的板状工件；芯片间隔形成单元，其使框架保持单元和板状工件沿板状工件表面的垂直方向相分离，使扩张带（１０４）扩张，使芯片间隔扩大，利用这种带扩张装置使在加热后进行冷却由此在冷却的过程中收缩的扩张带（１０４）扩张，对扩张产生的松弛部（１０４ａ）利用加热单元（４）进行加热并且利用冷却单元（４）进行冷却。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及带扩张装置，其具有以下功能使被粘贴在分割前的板状工件上的扩 张带扩张，由此将该板状工件分割为各个芯片，并使芯片之间的间隔扩张为预期的距离；使 粘贴在被分割为芯片并且整体上维持分割前形状的状态下的板状工件上的扩张带扩张，由 此使芯片之间的间隔扩张为预期的距离。
技术介绍
关于对半导体晶片等板状工件进行分割加工的方法有下述的方法，沿着板状工件 的分割预定线，在板状工件的内部会聚激光光线形成连续的改性层，对板状工件施加外力， 由此扩大芯片之间的间隔来进行分割。在这种方法中，用于使粘贴在板状工件背面的带扩 张时的力作为外力使用。另外，关于把使带扩张的力用作外力的技术，不仅在将板状工件分 割为芯片的情况下采用，而且在下述情况下也采用，即，板状工件已经被分割为芯片、而且 整体上保持分割前的形状，在这种状态下将被粘贴于扩张带上的板状工件的芯片间隔扩大 为预期的距离的情况。在板状工件是半导体晶片，板状工件的背面粘贴有被称为DAF(Die Attach Film，粘片膜)的芯片接合用的薄膜状粘接剂的情况下，也采用相同的技术。但是，薄膜状粘接剂是利用非常柔软的糊状物质形成的，在带扩张时薄膜状粘接 剂也伸长，很难使薄膜状粘接剂可靠地断开。因此，也在尝试下述的断开方法，将薄膜状粘 接剂冷却的同时进行断开，由此抑制薄膜状粘接剂伸长，使薄膜状粘接剂和板状工件一起 断开(例如参照专利文献1)。另外，如果保持使带扩张的状态，则会对后面的输送等造成障碍，因此也提出了下 述技术，为了消除扩张后的扩张带的松弛，从加热器提供热量使扩张带收缩(例如参照专 利文献2)。专利文献1日本特开2007-27250号公报专利文献2日本特开2006-114691号公报但是，在扩张带中，有的扩张带具有在加热后冷却的过程中收缩的性质，针对这种 扩张带，为了使松弛部分充分收缩去除松弛，需要在将扩张带加热后等待热量从扩张带中 充分散发出来，存在处理效率差的问题。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于这些情况而提出的，其主要技术课题是提供一种带扩张装置，在 被粘贴于板状工件上的扩张带采用具有在加热后冷却的过程中收缩的性质的扩张带的情 况下，在通过扩张带的扩张使芯片之间的间隔成为预期的距离之后，能够迅速去除在扩张 带中的板状工件粘贴部分的外周侧产生的松弛。本专利技术涉及带扩张装置，其具有框架保持单元，其保持环状框架，该环状框架在 开口部中借助扩张带来支承分割前的板状工件或者被分割为多个芯片后的板状工件；以及 芯片间隔形成单元，其使框架保持单元和板状工件沿板状工件表面的垂直方向相分离，使扩张带扩张，由此将分割前的板状工件沿着分割预定线分割为多个芯片，使芯片间隔扩张 为预期的距离，或者使被分割后的板状工件的芯片间隔扩张为预期的距离，扩张带具有通 过在加热后进行冷却由此在冷却的过程中收缩的性质，带扩张装置具有加热单元，其对扩 张带的被扩张的部位进行加热；以及冷却单元，其对扩张带的被扩张的部位进行冷却。本专利技术的带扩张装置具有加热单元和冷却单元，由此能够在将扩张带加热后迅速 将其冷却，因而能够迅速去除松弛。附图说明图1是表示带扩张装置的第1例的分解立体图。图2是表示借助扩张带支承为与环状框架成为一体的板状工件的图，图2 (a)是俯 视图，图2(b)是剖面图。图3是表示带扩张装置的保持单元被收容在壳体中，并载置了框架压紧部的状态 的立体图。图4是表示使带扩张装置的盖体上升后的状态的分解立体图。图5是简要表示在保持单元中保持借助扩张带支承为与环状框架成为一体的板 状工件的状态的剖面图。图6是表示从下方观察到的加热冷却单元的一例的状态的立体图。图7是加热冷却单元的仰视图。图8是简要表示将环状框架放置在框架支承部上的状态的剖面图。图9是简要表示利用框架支承部和框架压紧部夹持框架的状态的剖面图。图10是简要表示使扩张带扩张后的状态的剖面图。图11是简要表示在扩张带中形成有松弛部的状态的剖面图。图12是简要表示对松弛部进行加热及冷却的状态的剖面图。图13是简要表示松弛部收缩的状态的剖面图。图14是简要表示带扩张装置的第2例的剖面图。标号说明l、la:带扩张装置；10 带框架工件；100 板状工件；IOOa 表面；IOlb 背面； 101 分割预定线；102 芯片区域；103 薄膜状粘接剂；104 扩张带；105 环状框架；105a 开口部；2 保持单元；20 工件保持台；200 吸附部；201 框体；202 空气流路；203 吸引 源；21、21a 框架支承部；210a 冷风路径；211a 排出口 ；22 工件升降单元；220 缸体； 221 活塞杆；23 框架升降单元；230 缸体；231 活塞杆；3 框架压紧部；4 加热冷却单 元；4a 加热单元；40 基座；41 轴部；42 环形基座；43 加热单元；44 冷却单元；5 盖部 件；6 框架保持单元；7 壳体；70 开关门；8 间隙；9 芯片间隔形成单元。具体实施例方式图1所示的带扩张装置1是对例如图2 (a)、(b)所示的分割前的板状工件100进行 分割加工的装置。板状工件100例如图2(a)所示，在其表面IOOa形成有由分割预定线101 划分形成的多个芯片区域102。如图2(b)所示，在背面IOOb粘贴有被称为DAF(Die Attach Film)的薄膜状粘接剂103，薄膜状粘接剂103粘贴在扩张带104上。在扩张带104的周缘部粘贴有形成为环状并且形成有开口部10 的环状框架105，板状工件100在开口部10 中由扩张带104支承着与环状框架105成为一体。下面，把这样由扩张带104支承着与环 状框架105成为一体的板状工件100称为“带框架工件10”。另外，也存在板状工件100的 背面IOOb没有粘贴薄膜状粘接剂103的情况。并且，对工件没有特别限定，例如可以列举 硅晶片等半导体晶片、在半导体晶片的背面设置的DAF等粘接部件、或者半导体制品的封 装体、陶瓷、玻璃、蓝宝石(Al2O3)类的无机材料基板、以及要求微米级的加工位置精度的各 种加工材料。扩张带104在常温下具有伸缩性，具有通过在加热到预定温度(例如70°C )以上 后进行冷却，而在冷却的过程中收缩的性质。关于扩张带104的基材，可以列举聚氯乙烯、 聚丙烯、聚乙烯、聚烯烃等合成树脂片，关于粘接层可以列举丙烯树脂。对图2(a)所示的板状工件100实施例如激光加工。激光加工是使针对板状工件 100具有透射性的激光聚光在板状工件100的内部，由此沿着分割预定线101形成改性层的 加工。改性层是指密度、折射率、机械强度及其他物理特性的任一方面与其周围状态不同的 层，例如熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也包括这些区域混合 存在的区域。图1所示的带扩张装置1具有保持单元2，其保持图2所示的板状工件100及薄 膜状粘接剂103、扩张带104以及环状框架105 ；框架压紧部3，其将环状框架105夹在该框 架压紧部3和保持单元2之间；加热冷却单元4，其具有对在保持单元2中保持的扩张带104 进行加热及冷却的功能；以及盖部件5，其从上方覆盖加热冷却单元4。如图1所示，保持单元2具有工件保持台20，其隔着扩张带104来吸引并保持板 状工件100并能够升本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带扩张装置，其具有：框架保持单元，其保持环状框架，该环状框架在开口部中借助扩张带支承分割前的板状工件或者被分割为多个芯片后的板状工件；以及芯片间隔形成单元，其使该框架保持单元和板状工件沿板状工件表面的垂直方向相分离，使该扩张带扩张，由此将该分割前的板状工件沿着分割预定线分割为多个芯片并使芯片间隔扩张为预期的距离，或者使被分割后的板状工件的芯片间隔扩张为预期的距离，该扩张带具有通过在加热后进行冷却由此在冷却的过程中进行收缩的性质，该带扩张装置具有：加热单元，其对该扩张带的被扩张的部位进行加热；以及冷却单元，其对该扩张带的被扩张的部位进行冷却。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]