使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术制造技术

揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体制造装置，且特别是涉及一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。
技术介绍
离子植入(ion implantation)是一种利用高能化离子来直接轰击 (bombardment)基板来将化学物种沉积到基板的制程。在半导体制造中，离子植入机主要被用于改变目标材料的导电类型与导电程度的掺杂制程中。集成电路基板以及其薄膜组态中的精确掺杂轮廓(doping profile)通常对于集成电路(integrated circuit, IC)效能而言是很重要的。为了获得理想的掺杂轮廓，一个或者多个离子物种能够以不同的能量位准以及不同的剂量(dose)被植入。图1显示已知的离子植入系统100。离子植入机100包括电源101、离子源 102、撷取电极 104、90° 磁铁分析器(magnet analyzer) 106、第一减速(Dl)级(first deceleration (Dl) stage) 108、70° 磁铁分析器 110 以及第二减速(D2)级 112。Dl 以及 D2 减速级(亦称为“减速透镜(deceleration lens)”)中的每一个都由多个具本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种装置，用以改善离子束的品质，包括：离子源，用以产生离子束，所述离子源包括具有孔径的面板，其中所述离子束行进通过所述孔径；以及撷取电极组，包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中所述撷取电极组经由所述面板从所述离子源撷取所述离子束，以及其中所述高透明接地电极经组态以最佳化所述抑制电极与所述高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆士·S·贝福，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US