具有脒衍生物配体的新型锗络合物及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种化学式１表示的锗络合物：［化学式１］其中，Ｙ１和Ｙ２独立地选自Ｒ３、ＮＲ４Ｒ５或ＯＲ６，且Ｒ１至Ｒ６独立地表示（Ｃ１－Ｃ７）烷基。本发明专利技术提供的具有脒衍生物配体的锗络合物热稳定、易挥发且不含有卤素组分。因此，其可作为前体用于制备高质量的锗薄膜或通过金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）或原子层沉积（ＡＬＤ）制备含锗化合物薄膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，更优选地，涉及作为前体用于制备锗薄膜或含锗化合物薄膜的不对称锗络合物的方法。
技术介绍
在通过薄膜沉积，尤其是化学气相沉积和原子层沉积制备薄膜过程中，在低温下易于沉积的高纯度前体是半导体加工工艺和各种其它领域所需的理想薄膜沉积所必须的。 特别地，锗前体用于硅-锗太阳能电池、光学涂层等。目前，它们用于各种领域，包括作为第二代半导体器件的GeSbTe(GST)薄膜的制造领域。通常，锗烷(GeH4)作为锗前体用于制备锗薄膜或含锗化合物薄膜。在标准条件下， 锗烷是有毒气体，并且难以操作。因此，需要有加工用的安全设备。此外由于化学气相沉积(CVD)需要约500°C或更高的沉积温度，因此它在要求低温的半导体加工中的应用受到限制。对于其它的有机金属锗前体，报道了具有烷基(R)、烷氧基(OR)或环戊二烯基(Cp) 的前体。然而，由于配体引起的高位阻，这些前体在室温下呈固态，或易于在沉积过程中参与薄膜污染(Veprek, S.，Glatz, F. ；Knowitschny, R. J. Non-Cryst. Solids 1991，137 和 138,779 ；Seigi Suh本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种化学式１表示的锗络合物：［化学式１］其中，Ｙ１和Ｙ２独立地选自Ｒ３、ＮＲ４Ｒ５或ＯＲ６，且Ｒ１至Ｒ６独立地表示（Ｃ１－Ｃ７）烷基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑在善，
申请(专利权)人：韩国泰科诺赛美材料株式会社，
类型：发明
国别省市：KR