用于半导体制造的光刻胶剥离剂组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种光刻胶剥离剂组合物，其用于在半导体器件的制造过程中去除光刻胶。更具体而言，所述光刻胶剥离剂组合物包括３－２０重量％的水合肼或胺化合物；２０－４０重量％的极性溶剂；０．０１－３重量％的选自以下组中的腐蚀抑制剂：咪唑啉衍生物、硫化物衍生物、亚砜衍生物、芳香族化合物或具有羟基的芳香族化合物；０．０１－５重量％的Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１０］一元醇化合物；和４０－７０重量％的去离子水。在所述过程中，在低温下，用于制造半导体的光刻胶剥离剂组合物能容易地和快速地去除通过硬烤、干法蚀刻、灰化或离子注入而热固化的光刻胶薄膜和通过从底部金属薄膜中蚀刻的金属副产物而变性的光刻胶薄膜，并且在光刻胶的去除过程中使底部金属线路的腐蚀最小化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻胶剥离剂组合物用于在半导体器件的制造过程中 去除光刻胶。更具体而言，本专利技术涉及光刻胶剥离剂组合物，其在所述过 程中在低温下，能容易和快速地去除通过光刻后的干法蚀刻、灰化或离子 注入而热固化的光刻胶薄膜和从底部金属薄膜蚀刻的聚合物、金属副产物， 并在光刻胶的去除过程中使底部金属线路的腐蚀最小化。
技术介绍
通常，半导体器件的制造过程包括的步骤为1)在形成于半导体底层 上的导电层上形成光刻胶图形，和2)用所述图形作为掩模形成导电层图形。 在形成所述的导电层图形之后进行的清洗过程中，用作所述掩模的光刻胶 图形必须通过导电层上的光刻胶剥离剂去除。然而，在随后的清洗过程中 去除光刻胶是困难的，因为在最近的半导体装置制造过程中，干法蚀刻用 作导电层的光刻法来形成导电层的图形。干法蚀刻法取代了用酸性液体化学品的湿法蚀刻法，通过用等离子气 体和材料层如导电层间的气相-固相反应进行蚀刻过程。由于易于控制和形 成清晰的图形，干法蚀刻法最近成为蚀刻法的主流。干法蚀刻的种类很多， 但是由于在导电层的蚀刻过程中，等离子气体中的离子和自由基与光刻胶 薄膜在光刻胶薄膜表面上复杂地反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体的光刻胶剥离剂组合物，其包括３－２０重量％的水合肼或胺化合物；２０－４０重量％的极性溶剂；０．０１－３重量％的选自以下组中的腐蚀抑制剂：咪唑啉衍生物、硫化物衍生物、亚砜衍生物、芳香族化合物或具有羟基的芳香族化合物；０．０１－５重量％的Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１０］一元醇化合物；和４０－７０重量％的去离子水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金铉卓，朴成焕，林廷训，金圣培，郑燦珍，白贵宗，韩雄，李相源，李健雄，
申请(专利权)人：韩国泰科诺赛美材料株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]