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本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物，其用于在半导体器件的制造过程中去除光刻胶。更具体而言，所述光刻胶剥离剂组合物包括３－２０重量％的水合肼或胺化合物；２０－４０重量％的极性溶剂；０．０１－３重量％的选自以下组中的腐蚀抑制剂：咪唑啉衍生物、硫化...该专利属于韩国泰科诺赛美材料株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过韩国泰科诺赛美材料株式会社授权不得商用。
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本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物，其用于在半导体器件的制造过程中去除光刻胶。更具体而言，所述光刻胶剥离剂组合物包括３－２０重量％的水合肼或胺化合物；２０－４０重量％的极性溶剂；０．０１－３重量％的选自以下组中的腐蚀抑制剂：咪唑啉衍生物、硫化...