本发明提供用于以高蚀刻速率选择性地去除二氧化硅的蚀刻组合物，更具体而言，该用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物包含1至40重量％的氟化氢(HF)、5至40重量％的氟化氢铵(NH4HF2)以及水，并进一步包含表面活性剂以提高二氧化硅和氮化硅膜的选...

本发明涉及一种透明导电膜蚀刻剂，所述导电膜为微细图案并在薄膜晶体管液晶显示器等平板显示器的制作工序中用于制作透明电极。本发明所提供的透明导电膜蚀刻剂由０．０５～１５重量％的含卤化合物、０．１～２０重量％的氧化助剂、０．０５～１５重量％的...

提供了一种用于抛光包含多晶硅薄膜和绝缘体的半导体器件的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物以及一种化学机械抛光方法。ＣＭＰ组合物对于半导体元器件在较低隔离ＣＭＰ工艺中尤其有效。提供了一种高选择性的ＣＭＰ组合物，包含多晶硅抛光平整剂，可以有选择地...

本发明提供无线射频识别标签用天线及无线射频识别标签，特别涉及以分支结构形成辐射体偶极子和Ｔ形整合部相连的连接部，以在分支结构中使所述Ｔ形整合部和辐射体偶极子感应电流，并通过调节辐射体偶极子的感应电流量，能够细致地调节无线射频识别标签天线...

本发明提供一种化学式１表示的锗络合物：［化学式１］其中，Ｙ１和Ｙ２独立地选自Ｒ３、ＮＲ４Ｒ５或ＯＲ６，且Ｒ１至Ｒ６独立地表示（Ｃ１－Ｃ７）烷基。本发明提供的具有脒衍生物配体的锗络合物热稳定、易挥发且不含有卤素组分。因此，其可作为前体用于...

本发明涉及对半导体装置制造过程使用的铜膜进行抛光的ＣＭＰ浆料组合物。所述用于抛光含铜基板的ＣＭＰ组合物包含沸石、氧化剂和络合剂，其中所述络合剂的含量为抛光组合物总重量的０．０１－０．８重量％。

本发明涉及一种用于铜层、铜／钼层、或铜／钼合金层的蚀刻溶液，包括以蚀刻溶液的总重量计，１２至３５重量％的过氧化氢、０．５至５重量％的硫酸盐、０．５至５重量％的磷酸盐、以及０．０００１至０．５重量％的氟离子、０．１至５重量％的第一水溶性环...

本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物，其用于在半导体器件的制造过程中去除光刻胶。更具体而言，所述光刻胶剥离剂组合物包括３－２０重量％的水合肼或胺化合物；２０－４０重量％的极性溶剂；０．０１－３重量％的选自以下组中的腐蚀抑制剂：咪唑啉衍生物、...

本发明涉及化学－机械抛光组合物，其用于半导体器件的生产技术中具有高阶梯高度、不平度严重的二氧化硅层的化学－机械抛光过程，以及使用所述具有自动停止功能的化学－机械抛光组合物的方法，即在去除阶梯高度进行平整化后抛光速率大大减小，其特征在于所...