【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方案总体上涉及化合物，使用这些化合物制备的半导体 器件以及形成这些半导体器件的方法。更具体而言，本专利技术的实施方案涉 及锗化合物、使用锗化合物制备的半导体器件以及制备这种半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件的类型有易失性存储器件和非易失性存储器件。当存储器 件没有电力供应时，储存在易失性存储器件中的数据丢失。然而，即使在 没有电力的情况下，非易失性存储器件也保持存储的数据。因此，非易失 性存储器件已经被广泛用于存储插件、远距离通信系统等中。非易失性存储器件包括闪速存储器件或相变存储器件。相变存储器件 作为代替闪速存储器件的下一代存储器件是非常有吸引力的。相变存储器 件典型地包括相变材料，这种相变材料可以表现至少两种不同相--例如晶 相和非晶相中的一种。根据施加给相变材料的加热温度以及被加热的相变 材料的骤冷处理，可以将相变材料的相改变为非晶相或晶相。具有晶相的 相变材料表现出较低的电阻，而具有非晶相的相变材料表现出较高的电 阻。图l是说明常规相变存储器件的制备方法的横截面视图。参考图l，在具有下互连20的衬底10上形成绝缘层30。将绝缘层3...
【技术保护点】
一种锗（Ｇｅ）化合物，其具有化学式ＧｅＲ↑［１］↓［ｘ］Ｒ↑［２］↓［ｙ］， 其中Ｒ↑［１］是烷基，而Ｒ↑［２］是氢、氨基、烯丙基和乙烯基中的一种， 其中ｘ大于０并且小于４，并且 ｘ和ｙ之和等于４。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴惠英，金铭云，金震东，李忠满，李璡一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，株DNF，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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