【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于多晶硅生产
，特别是西门子法生产多晶硅的多晶硅还原炉底盘；涉及一种均勻取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构。背景介绍目前国内外多晶硅生产企业主要采用“改良西门子法”。该方法的生产流程是利用氯气和氢气合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后，在一定的温度和压力下通入多晶硅还原炉内，在通电高温硅棒上进行气相沉积反应生成多晶硅。其中多晶硅还原炉内三氯氢硅和氢气需要在1080°C 1150°C的高温下进行反应，由于内部反应温度极高，需要对底盘进行冷却，以防止底盘受热变形和绝缘材料的失效。现有技术中，还原炉底盘都为双层结构，中间设置单螺旋或多螺旋冷却通道。如专利ZL200820154686. X提供了一种并联双螺旋导流通道的结构，专利200920208194. 9提供了一种中心对称双螺旋导流通道的结构，专利200920208183. 0提供了一种中心对称三螺旋导流通道的结构，这些结构都是将冷却水进口设在底盘外圆周，冷却水出口设置在底盘中心，这样冷却水进入底盘后沿着导流...
【技术保护点】
１．一种均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构，包括还原炉底盘上底板、还原炉底盘下底板、还原炉底盘中间隔板、电极、进气口、电极套筒、多根导流管、多个底盘冷却水进口、底盘冷却水出口、底盘法兰、底盘上空腔、底盘下空腔；其特征是还原炉底盘上底板、还原炉底盘中间隔板、还原炉底盘下底板都焊接在底盘法兰上，且底盘中间隔板位于底盘法兰正中间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘春江，黄哲庆，段连，袁希钢，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12
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