多晶硅CVD炉三层底盘结构制造技术

本实用新型专利技术多晶硅CVD炉三层底盘结构包括上底板、中底板、下底板、底盘法兰、电极座、进气管、出气管、进水管、出水管。所述的多晶硅CVD炉三层底盘结构由上、中、下三层底板组成两个腔体：上底板和中底板组成冷却水腔体，中底板和下底板组成混合气腔体。多晶硅CVD炉三层底盘结构，由于混合气腔体的形成，减少了进气管数量，混合气经过混合气腔体的缓冲后再进入多晶硅CVD炉进行参与还原沉积反应，提高了混合气流场的稳定性，同时增加了底盘底部操作空间，降低了底盘操作难度。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多晶硅CVD炉，特别涉及多晶硅CVD炉的三层底盘结构，属于新能源太阳能光伏产业

技术介绍
多晶硅是半导体、大规模集成电路和太阳能产业的重要原材料，在太阳能光伏产业市场的拉动及巨大利润诱导下，各地多晶硅项目纷纷上马，多晶硅产业前景广阔，发展迅猛，在中国已经成为投资的热点。目前，生产多晶硅的工艺主要以“改良西门子法”(即SiHCl3还原法)为主流技术， 其关键设备就是多晶硅CVD炉。SiHCl3和H2按照一定比例通入到多晶硅CVD炉中，一定压力和温度的环境条件下，在导电硅芯上进行还原反应沉积多晶硅。多晶硅生长速率和产品质量很大程度上取决于多晶硅CVD炉内混合气流场的稳定性。然而，现有的多晶硅CVD炉底盘结构复杂，进气口接管与电极棒在底盘上的安装与操作难度大，且混合气通过进气管直接进入多晶硅CVD炉内，使得炉内的混合气进气不稳定，导致流场不稳定，最终降低多晶硅的生长速率与产品质量。
技术实现思路
本技术提供一种多晶硅CVD炉三层底盘结构，该结构使得多晶硅CVD炉内流场稳定，以提高多晶硅生长速率和改善多晶硅产品质量，同时可以降低多晶硅CVD炉的操作难度，延长多晶硅CVD炉的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．多晶硅ＣＶＤ炉三层底盘结构，其特征在于，包括底盘法兰，上底板、中底板、下底板，所述上底板、中底板与下底板固定于所述底盘法兰，所述上底板与中底板形成冷却水腔体，中底板与下底板形成混合气腔体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李严州，许国文，茅陆荣，李东曦，
申请(专利权)人：上海森松化工成套装备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31