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本实用新型多晶硅CVD炉三层底盘结构包括上底板、中底板、下底板、底盘法兰、电极座、进气管、出气管、进水管、出水管。所述的多晶硅CVD炉三层底盘结构由上、中、下三层底板组成两个腔体：上底板和中底板组成冷却水腔体，中底板和下底板组成混合气腔体。...
该专利属于上海森松化工成套装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海森松化工成套装备有限公司授权不得商用。

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