一种优化集成电路版图热分布的方法技术

技术编号:7097937 阅读:400 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种优化集成电路版图热分布的方法,属于集成电路设计自动化领域。该方法包括:输入电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则;进行电路分析,确定电路中的关键器件和关键线网;根据电路的物理设计规则,在电路的物理版图上设定填充障碍;进行热分析,确定电路的物理版图上的关键热点;为关键热点增加导热通路,根据导热通路和电路的物理设计规则在金属层上依据填充哑金属图形,根据导热通路和设计规则增加哑金属通孔以连接导热通路上的哑金属图形,直至不能通过新的哑金属填充优化电路的物理版图热分布;输出填充的金属图形到物理版图数据库。本发明专利技术可有效地通过哑金属填充优化集成电路物理版图上的热分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计自动化领域,尤其涉及。
技术介绍
在集成电路设计中器件的特性对温度很敏感,温度的变化会引起明显的器件特性变化,而这又会导致明显的上层电路性能变化甚至电路功能的变化,因此确定合理的温度分布对确保所设计的电路正常工作至关重要。确定合理的温度分布主要通过两个途径,一是优化热源的分布,二是优化热的流动通路。在现有的集成电路设计流程中,热分布的优化主要在物理版图规划和器件布局阶段考虑和实现,其实质是版图规划和器件布局之前用户设定热约束条件和热约束相关的几何约束条件,构造版图规划和器件布局之优化目标函数时将热分布作为众多优化项中其中的一个优化项,以权重因子控制的形式融入优化目标函数,在版图规划和器件布局优化时遵循相关的约束条件,并在评估时采用快速估算算法确定热分布或通过热仿真确定热分布,从而优化热源的分布。集成电路芯片内不同材料层之间的热传导系数相差很大,硅的热导率为149W/ m. K,SiO2热导率为1. 4ff/m. K,铜的热导率为393W/m. K,铝的热导率为238W/m. K,多晶硅的热导率为35W/m. K。热传导系数的差异改变了热传导的方向,热传导的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化集成电路版图热分布的方法,其特征在于,包括:步骤1,输入电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则;步骤2,根据所述电路网表、电路仿真结果以及电路的物理版图进行电路分析,确定电路中的关键器件和关键线网;步骤3,根据所述电路的物理设计规则,在所述电路的物理版图上设定填充障碍;步骤4,根据所述电路仿真结果进行热分析,确定所述电路的物理版图上的关键热点;步骤5,为所述关键热点增加导热通路,根据所述导热通路和电路的物理设计规则在金属层上依据所述填充哑金属图形,根据所述导热通路和电路的物理设计规则增加哑金属通孔以连接所述导热通路上的哑金属图形,直至不能通过新的哑金属填充优化电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴玉平陈岚叶甜春
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:11

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