半导体存储装置及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更详细地说，涉及通过施加电压脉冲来改写存储为存储单元的可变电阻元件的电阻状态的信息的。
技术介绍
近年来，广泛研究代替闪存的新型的非易失性半导体存储装置。其中，利用了通过对过渡金属氧化物等可变电阻体膜施加电压来使电阻发生变化这一现象的RRAM，在微细化界限方面比闪存有利，此外，能够进行高速的数据改写，因而正被广泛研究开发。作为使用RRAM的存储单元阵列的结构，以往使用日本特开2002-151661号公报示出的ITlR型的存储单元阵列，S卩，通过在存储单元的可变电阻元件上串联连接单元选择用的晶体管，由此，能够限制在对在所选择的存储单元的可变电阻元件中存储的信息进行改写、读取时在非选择的存储单元中流动的漏泄电流以及寄生电流。图8中示出以往使用的RRAM的单元阵列结构。在存储单元阵列200中，作为可变电阻元件，在列方向(图中横向)和行方向(图中纵向)呈矩阵状排列有Rll I nl、R12 foi2、·· ^Rlm Rnm，另外，作为单元选择用的晶体管，在列方向(图中横向)和行方向(图中纵向)呈矩阵状排列有Qll Qnl、Q12 Qn2、■…、Qlm Qnm。在各个存储单本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种半导体存储装置，其特征在于，具有：存储单元阵列，该存储单元阵列是分别沿行方向以及列方向呈矩阵状排列多个存储单元而成的，所述存储单元具有存储元件和单元晶体管，该存储元件具有两个输入输出端子，利用该二端子间的电气特性的差异来存储信息，通过在该二端子间施加电压，从而进行所存储的信息的改写，该单元晶体管具有两个输入输出端子和一个控制端子，所述存储元件的所述输入输出端子的一个端子和所述单元晶体管的所述输入输出端子的一个端子连接；字线，在行方向上延伸，并且，将排列成同一行的所述施加所述预充电电压。加改写电压；第二电压施加电路，在施加所述改写电压之前，对与所述选择的存储单元连接的所述位线和所述公用...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎信夫，太田佳似，石原数也，名仓满，川端优，粟屋信义，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP