晶片加工用胶带和使用其的半导体加工方法技术

本发明专利技术提供能够充分抑制拾取时半导体芯片彼此的再粘连的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加工方法。本发明专利技术的晶片加工用胶带为在作为由支持基材12a和粘合剂层12b构成的粘合带的切割带12的该粘合剂层12b上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层13的作为晶片加工用胶带的切割芯片粘贴带10，该晶片加工用胶带的特征在于：支持基材12a由将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量份分数为1％以上且不足10％，并且离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度为50％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的制造工序中所使用的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加工方法，特别是涉及在利用高速旋转的薄型磨石来分割半导体晶片和接合剂层的切割工序、以及将通过分割而被单片化的半导体晶片与通过分割而被单片化的接合剂层一同进行拾取而层积在基板上的芯片粘贴工序中所用的切割 芯片粘贴带以及使用该切割·芯片粘贴带的半导体加工方法。
技术介绍
作为在半导体装置的制造工序中所使用的晶片加工用胶带，有人提出了层积切割带(粘合带)以及含有环氧树脂成分的热固性的粘接膜而成的切割 芯片粘贴带(例如专利文献1 幻。这些切割·芯片粘贴带在接合剂层(粘接膜)含有具有环氧基的化合物， 因而可通过热固化将半导体芯片与基板牢固地粘接。另外，通过使切割带的粘合剂层为能量射线固化型，能够通过UV照射等来降低切割带的粘合力，易于剥离粘合剂层与接合剂层的界面，能够使通过分割而对半导体芯片进行单片化的半导体晶片与通过分割进行单片化的接合剂层一同从切割带上进行拾取。对于上述这样的切割·芯片粘贴带，要求具有能够对半导体晶片和接合剂层确实地进行切断·单片化；一片片地进行拾取、以良好的合格率提供于芯片粘贴工序本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片加工用胶带，其为在由支持基材和粘合剂层构成的粘合带的该粘合剂层上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层的晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于：上述支持基材由将乙烯－（甲基）丙烯酸二元共聚物或乙烯－（甲基）丙烯酸－（甲基）丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；上述共聚物中的上述（甲基）丙烯酸成分的重量分数为１％以上且不足１０％，并且上述离聚物树脂中的上述（甲基）丙烯酸的中和度为５０％以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三原尚明，矢吹朗，盛岛泰正，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP