一种用于制造供半导体生产使用的胶带的装置，包括：薄膜供给器，其用于供给薄膜，该薄膜具有粘附层、以及分别粘附到粘附层上下表面上的上保护层和下保护层；切割构件，其用于在由薄膜供给器供给的薄膜的粘附层和上保护层中形成与半导体晶片形状相对应的切割线；回收器，其用于回收由处于切割线之外的上保护层和粘附层构成的废料；剥离器，其用于去除处于切割线之内的上保护层；安装带供给器，其用于供给安装带；以及层压机，其用于将安装带以及保留了处于切割线之内的粘附层和下保护层的薄膜层叠，由此完成胶带制造。该装置可减少胶带制造过程中的保护膜的消耗、通过将所有工序设置到一个线路上来提高生产率并防止由于复杂工序导致的污染。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种用于制造粘附有使用于半导体晶片(wafer)切块(dicing)工序的安装带的胶带的装置和方法。
技术介绍
一般地，通过将芯片上引线(Lead On Chip，LOC)胶带粘贴到引线框架上，从而将半导体芯片固定到基板上，该胶带由聚酰亚胺膜以及丙烯酸或环氧热固性粘接剂构成。然而，这种方法呈现的问题在于，由于芯片和基板之间的热膨胀系数的差异所产生的热应力导致引线部分不良的打线接合(wirebonding)、断路或变形。由此，为了解决由于半导体芯片和基板之间的热膨胀系数的差异所产生的物理和机械副作用，采用一种利用在半导体晶片和基板之间插置弹性带来连接半导体晶片和基板的方法。同时，为了用半导体晶片制造半导体元件，需要进行下述工序用于将安装带贴附到半导体晶片一侧上的胶带粘贴工序(taping process)、用于将半导体晶片分区切割以制造晶块(die)的切块工序、用于将切块工序中所产生的硅粉尘清除的清洁工序、以及用于将各个晶块分离并连接到基板上的贴晶(die bonding)工序。一般地，在切块工序中用于固定半导体晶片的安装带、以及在贴晶工序中用于将切好的晶块连接到基板或引线框架上的胶带是单独制造并使用的。最近，一种通过将安装带贴附在用于贴晶的胶带上的带子已更方便地用于半导体制造过程。图1a至图1f示出了根据现有技术制造供半导体生产使用的胶带的过程。首先参照图1，在胶带制造过程中，通过利用层压机30，在粘附层21两侧贴附保护膜11和12，以制造原始薄膜1。此后，如图1b所示，通过利用切割装置32和33将原始薄膜1切成圆形。随后，如图1c所示，去除位于圆形薄膜2的下表面上的保护膜12，然后进行贴附安装带的工序。也就是说，去除了下保护膜12的圆形薄膜3贴附在安装带22的圆形标记22′上，且随后将保护膜14粘附到圆形薄膜3的上表面上。接着，形成具有如图1d所示剖面的中间薄膜4。此后，如图1e所示，进行将贴附在圆形粘附层21上表面上的圆形保护膜11去除的工序。也就是说，通过去除保护膜14并且还去除粘附层21上表面上的圆形保护膜11，便可贴附上另一保护层15。随后，完成胶带5的制造，其中，保护层15、粘附层21和安装带22如图1f所示依序层叠。该传统胶带制造过程存在的问题在于，因为其需要许多上述工序，所以产生许多作业过程的废料。另外，因为需要使用若干保护膜来防止粘附层受污染，所以消耗的材料成本十分大。此外，因为在多次工序中胶带易于受到污染，所以在要求清洁的半导体元件制造过程中可能产生劣质半导体元件。
技术实现思路
本专利技术设计为解决现有技术的上述问题，而且因此本专利技术的目的在于提供一种用于制造供半导体生产使用的胶带的装置、以及利用该装置制造胶带的方法，该装置可以减少制造过程中保护膜的消耗并同时通过将所有工序设置到一个线路上来简化复杂的工序。为了实现上述目的，本专利技术提供一种用于制造供半导体生产使用的胶带的装置，该装置包括薄膜供给器，其用于供给薄膜，该薄膜具有粘附层以及分别粘附到该粘附层上下表面上的上保护层和下保护层；切割构件，其用于在由该薄膜供给器供给的薄膜的粘附层和上保护层中形成与半导体晶片的形状相对应的切割线；回收器，其用于回收由处于所述切割线之外的上保护层和粘附层所构成的废料；剥离器，其用于去除处于所述切割线之内的上保护层；安装带供给器，其用于供给安装带；以及层压机，其用于将该安装带和保留了处于所述切割线之内的粘附层和下保护层的薄膜相层叠，由此完成胶带制造。优选地，该安装带标有与所述切割线相对应的标记。在这种情况下，本专利技术的制造胶带的装置可还包括非接触传感器，该非接触传感器安装在该安装带与保留了处于所述切割线之内的粘附层和下保护层的薄膜相接触的位置，由此来感测所述切割线和该安装带的所述标记之间的精确匹配。优选地，该切割构件将所述切割线形成为延伸到下保护层的一部分中。在这种情况下，所述切割线在下保护层中的深度不超过下保护层厚度的90％。根据本专利技术的用于制造胶带的装置可还包括安装带切割构件，其设置与该层压机的后部，以在与所述切割线相隔预定距离的位置处、在该安装带中形成圆形切割线；以及回收器，其用于回收处于该安装带中的所述切割线之外的安装带。在这种情况下，该安装带切割构件使在该安装带中的所述切割线优选形成为延伸到下保护层的一部分中。所述切割线在下保护层中的深度不超过下保护层厚度的90％。根据本专利技术的用于制造胶带的装置可还包括用于对所述层叠的胶带的两端进行切割的切割器、以及用于对层叠并完成的所述胶带进行卷取的卷取辊。优选地该切割构件为汤普森冲压机或旋转切割机。在本专利技术的另一方案中，还提供一种用于制造供半导体生产使用的胶带的方法，该方法包括(a)供给薄膜，该薄膜由粘附层、以及分别粘附到该粘附层上下表面上的上保护层和下保护层构成；(b)在该薄膜的粘附层和上保护层中形成与半导体晶片的形状相对应的切割线；(c)回收由处于所述切割线之外的上保护层和粘附层所构成的废料；(d)去除处于所述切割线之内的上保护层；(e)供给安装带，以使该安装带与去除上保护层的薄膜的粘附层相面对；以及(f)将该安装带和保留了处于所述切割线之内的粘附层和下保护层的薄膜相层叠。附图说明从下列结合附图的实施例的说明中，本专利技术的其它目的和方案将变得更清楚。在附图中图1a至图1c以及图1e示出了根据现有技术制造供半导体生产使用的胶带的过程；图1d是沿图1c的d-d′线所作的剖视图； 图1f是沿图1e的f-f线所作的剖视图；图2是示出了根据本专利技术优选实施例、用于制造供半导体生产使用的胶带的装置的示意图；图3是示出了根据本专利技术优选实施例、用于制造供半导体生产使用的胶带的方法的流程图；图4是沿图2的IV-IV′线所作的剖视图；图5是沿图2的V-V′线所作的剖视图；图6是沿图2的VI-VI′线所作的剖视图；图7是沿图2的VII-VII′线所作的剖视图；图8是沿图2的VIII-VIII′线所作的剖视图；图9是示出了在图8的薄膜上形成的切割线的剖视图；图10是示出了利用根据本专利技术优选实施例的、用于制造供半导体生产使用的胶带的装置所制造的胶带的平面图，该胶带贴附在半导体晶片上；图11是沿图10的X-X′线所作的剖视图；以及图12至图15是分别示出了贴附有胶带的半导体晶片的切块工序、拾取工序、晶块衬垫(die padding)工序以及打线接合工序的剖视图。具体实施例方式下文将参照附图详细说明本专利技术的优选实施例。在说明之前，应该清楚的是，说明书以及随附的权利要求中所使用的术语不应解释为限定到一般的以及辞典的含义，而是应该基于允许本专利技术专利技术人适于最佳解释地来限定术语的原则、与本专利技术的技术方案所对应的含义和概念进行解释。因此，在此给出的说明为仅用于示例意图的优选实例，并不意于限制本专利技术的范围，所以应该清楚的是，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，可对本专利技术进行其它等同替换和修改。首先，值得注意的是，下面实施例涉及制造供半导体生产使用的胶带中的弹性带的装置和方法。然而，本专利技术不局限于特定类型的胶带。图2示出了根据本专利技术优选实施例用于制造弹性带的装置。参照图2，该实施例的弹性带制造装置包括薄膜供给器110，其用于供给薄膜50，该薄膜50由弹性层以及分别粘本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于制造供半导体生产使用的胶带的装置，包括：薄膜供给器，其用于供给薄膜，该薄膜具有粘附层、以及分别粘附到该粘附层的上下表面上的上保护层和下保护层；切割构件，其用于在该薄膜供给器供给的薄膜的粘附层和上保护层中形成与半导体晶 片的形状相对应的切割线；回收器，其用于回收由处于所述切割线之外的上保护层和粘附层构成的废料；剥离器，其用于去除处于所述切割线之内的上保护层；安装带供给器，其用于供给安装带；以及 层压机，其用于将该安装带、以及 保留了处于所述切割线之内的粘附层和下保护层的薄膜相层叠，由此完成胶带的制造。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑秉官，柳源相，魏京台，姜炳彦，成太铉，
申请(专利权)人：LS电线有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。