绝缘体上硅器件制造技术

本发明专利技术提供一种绝缘体上硅器件，其在内部设置了一用作屏蔽层的导电层，使集成电路内部的非线性可变寄生电容变为恒定寄生电容。进一步地，所述绝缘体上硅器件还在内部设置一深度增大的STI隔离区从而使该寄生电容值减小。当绝缘体上硅器件工作时，施加于器件上的射频信号会尽可能少的从该寄生电容泄露，且得到的射频信号为线性信号，符合射频设备的使用要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种绝缘体上硅器件，它应用于射频制造工艺领域。
技术介绍
半导体器件持续朝高集成、高操作速度及低功耗方向发展。据此，以绝缘体上硅 (SOI)基板代替硅基板构成的半导体器件愈来愈流行，这是由于由SOI基板形成的半导体器件具有许多优点，包括可以实现集成电路中元器件的介质隔离、彻底消除体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；另外，由SOI构成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、 工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。相关的绝缘体上硅基板的制作方法可以参考中国专利文件02805268. 4。下面将结合附图描述一种常规的绝缘体上硅器件。如图1所示，绝缘体上硅衬底由硅基板11、形成于硅基板11上的埋入氧化层12、 形成于埋入氧化层12上的硅层13。其中，硅基板11用于支撑整个绝缘体上硅器件，在射频 (Radio Frequency)制造工艺中，常常使硅基板11的掺杂浓度尽可能降到最低从而使其具有高电阻率，硅层13可用于形成各种半导体器件。在硅层13上形成源区131、漏区132及用于隔绝源区131、漏区132的STI隔离区133，这里源区131、漏区132本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种绝缘体上硅器件，其特征在于，包括：绝缘体上硅衬底（２０），包括硅基板（２１）、形成于所述硅基板（２１）上的埋入氧化层（２２）、形成于所述埋入氧化层（２２）上的硅层（２３），所述硅层（２３）内设有源区（２３１）、漏区（２３２）及用于隔绝所述源区（２３１）、漏区（２３２）的ＳＴＩ隔离区（２３３）；所述ＳＴＩ隔离区（２３３）的上方设有适于用作金属互连线的金属层（２４）；所述ＳＴＩ隔离区（２３３）上覆盖有一层接地的导电层（２６）；所述金属层（２４）与所述导电层（２６）之间设有介质层（２５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31