薄膜晶体管基板及具备薄膜晶体管基板的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不会发生金属配线膜的干式蚀刻率的下降或蚀刻残渣，而且抑制该金属配线膜的小丘抗性或电阻率，并且抑制与和该金属配线膜直接连接的氧化物半导体层或透明导电膜的触点电阻率的薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示装置。在薄膜晶体管基板中，金属配线膜是通过干式蚀刻法进行图案化而形成的层叠膜，该层叠膜由Ti膜和含有0.05～1.0原子％的Ni、0.3～1.2原子％的Ge、0.1～0.6原子％的La及/或Nd的Al合金膜所构成，该Ti膜与该氧化物半导体层直接连接，且该Al合金膜与该透明导电膜直接连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及从基板侧依次具备氧化物半导体层、金属配线膜、透明导电膜的薄膜晶体管基板、及具备该薄膜晶体管基板的显示装置(设备)。本专利技术的薄膜晶体管基板例如以液晶显示器(液晶显示装置)或有机EL显示器等平板显示器为代表使用。以下，以液晶显示装置为代表进行说明，但本专利技术并不局限于此。
技术介绍
近年来，开发有在有机EL显示器或液晶显示器的半导体层(通道层)上使用了氧化物半导体的显示器。例如在专利文献1中，作为半导体装置中的透明半导体层，使用氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、以及在氧化锌(ZnO)中添加了 IIB元素、IIA元素或VIB元素的化合物或混合物中的任一个，使用掺杂了 3d过渡性金属元素、或稀土类元素、或透明半导体的不失透明性而形成为高电阻的不纯物的层。氧化物半导体与以往作为半导体层的材料而使用的非晶形硅相比，具有高的载体移动度。此外，氧化物半导体可以通过溅射法进行成膜，因此与上述由非晶形硅构成的层的形成相比，能够实现基板温度的低温化。其结果是，能够使用耐热性低的树脂基板等，因此能够实现柔性显示器。作为氧化物半导体，除上述aio等之外，最近使用由铟、镓、锌及氧构成的透本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管基板，在基板上从基板侧依次具备薄膜晶体管的氧化物半导体层、与该氧化物半导体层直接连接的金属配线膜、透明导电膜，其特征在于，所述金属配线膜是通过干式蚀刻法进行图案化而形成的层叠膜，该层叠膜由Ｔｉ膜和含有０．０５～１．０原子％的Ｎｉ、０．３～１．２原子％的Ｇｅ、０．１～０．６原子％的Ｌａ及／或Ｎｄ的Ａｌ合金膜所构成，该Ｔｉ膜与该氧化物半导体层直接连接，且该Ａｌ合金膜与该透明导电膜直接连接。

【技术特征摘要】
2010.06.29 JP 2010-1480851.一种薄膜晶体管基板，在基板上从基板侧依次具备薄膜晶体管的氧化物半导体层、 与该氧化物半导体层直接连接的金属配线膜、透明导电膜，其特征在于，所述金属配线膜是通过干式蚀刻法进行图案化而形成的层叠膜，该层叠膜由Ti膜和含有0. 05 1. 0原子％的Ni、0. 3 1. 2原子％的Ge、0. 1 0. 6原子％的La及/或Nd 的Al合金膜所构成，该Ti膜与该氧化物半导体层直接连接，且该Al合金膜与该透明导电膜直接连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩成裕美，后藤裕史，前田刚彰，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：JP