适用于PMOS器件全硅化金属栅功函数的调节方法技术

一种适用于PMOS器件的全硅化金属栅功函数的调节方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入Al杂质，杂质激活；淀积金属镍，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍。本发明专利技术提供的方法，易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子超深亚微米技术互补金属氧化物半导体器件(CM0Q及超大规 模集成
，特别是指一种用于调节PMOS器件全硅化金属栅栅功函数的方法。
技术介绍
随着微电子技术的发展，传统的多晶硅栅电极已不能满足纳米器件的要求。纳米 器件多晶硅栅电极存在以下问题a、PMOS管的硼穿透效应；b、多晶硅耗尽效应；C、栅串联电阻过大；d、与下一代栅介质材料(高介电常数栅介质)不兼容，存在费米钉扎效应。而金属栅电极能够很好的解决多晶硅栅电极存在的以上问题，成为多晶硅栅电极 的替代者，并成为国际上研究的热点。但是制备金属栅器件，还有很多的问题需要解决。首先考虑的因素就是栅材料的 选择问题。在决定选择何种材料作为栅材料时要考虑很多因素。比如1)与CMOS工艺的兼容性(如热稳定性，可刻蚀等)；2)对栅介质可靠性的影响；3)工艺的可扩展性(如高介电常数栅介质)。除了上面的因素以外，选择的最主要考虑的因素是合适的栅功函数的匹配问题。由于栅功函数直接影响器件的阈值电压(Vth)和晶体管的性能。为了获得良好的 性能，必须选择合适的栅功函数使NMOS和PMOS管的阈值电压对称并适当低。对于先进的新 结本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种适用于ＰＭＯＳ器件全硅化金属栅功函数的调节的方法，其主要步骤包括：１）局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入１４Ｎ＋；２）漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；３）光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；４）注入Ａｌ杂质，杂质激活；５）淀积金属镍，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；６）选择去除未反应的金属镍。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周华杰，徐秋霞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11