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一种适用于PMOS器件的全硅化金属栅功函数的调节方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入Al杂质，杂质激活；淀积金属镍，退火硅化，使金属镍...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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