【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管芯片及其制造方法，尤其是指在芯片背面镀有反射镜，可 提高芯片出光效率的发光二极管芯片及其制造方法。
技术介绍
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领 域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照 明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。通常发光二极管的芯片为在蓝宝石等衬底上依次层叠了 η型半导体层、有源层、P 型半导体层的构造。另外，在P型半导体层上配置有P电极，在η型半导体层上配置有η电 极，如图1所示。为了获得高亮度的LED，关键需要提高器件的内量子效率和外量子效率，而芯片 光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素，主要原因是外延材料、衬底材料以及空气 之间的折射率差别较大，导致有源区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导 出芯片。现有技术中已经提出了几种提高芯片光提取效率的方法，包括1)采用诸如倒金 字塔等的结构改变芯片的几何外形，减少光在芯片内部的传播路程，降低光的吸收损耗；2) 采用诸如谐振腔或光子晶体等结构控制和改变自发辐射；幻采用表面粗化方...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片，依次包括蓝宝石衬底、半导体外延层，所述半导体外延层至少包括ｎ型半导体层、位于ｎ型半导体层上的有源层、以及位于有源层上的ｐ型半导体层，在所述ｎ型半导体层上设有ｎ电极，在ｐ型半导体层上设有透明导电层和ｐ电极，其特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为电介质层、Ａｌ膜层及第二金属层，所述电介质层的折射率为１．１－１．６。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张楠，朱广敏，潘尧波，郝茂盛，齐胜利，陈志忠，张国义，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，彩虹集团公司，北京大学，
类型：发明
国别省市：31
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