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本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用...该专利属于上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学授权不得商用。