发光二极管及其制造方法技术

一种发光二极管，其包括一基板、一位于所述基板上缓冲层、一位于所述缓冲层上并且具有第一折射率的图案化层、一位于所述图案化层上并且具有第二折射率的半导体层以及一位于所述半导体层上的发光结构。所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明专利技术的发光二极管在缓冲层上成长一具有第一折射率的图案化层，以减少成长在该图案化层上的具有第二折射率的半导体层的应力，另外由于半导体层其折射率大于所述图案化层的折射率，从而可以使发光层发出的光线在所述具有第二折射率的半导体层与所述具有第一折射率的图案化层的界面发生全反射，降低光线被基板吸收，从而提升了所述发光二极管的光取出效率。本发明专利技术还提供一种发光二极管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，氮化物的半导体材料被广泛应用于发光二极管(Light EmittingDiode) 上，在发光二极管的制程上一般利用氮化物的半导体材料做成各种各样的混合晶体。在现有技术中，发光二极管一般包括基板、成长在所述基板上的氮化镓(GaN)缓冲层、成长在所述氮化镓(GaN)缓冲层上的氮化铝镓(AWaN)束缚层以及成长在所述氮化铝镓(AKiaN)束缚层上的发光结构。上述发光二极管的结构容易产生以下问题在所述氮化镓(GaN)缓冲层上成长所述氮化铝镓(AWaN)束缚层时，由于应力，所述氮化铝镓 (AlGaN)束缚层表面容易产生裂痕，从而影响发光二极管的晶格品质；另外，所述发光结构发出的光线容易被所述氮化镓(GaN)缓冲层吸收，从而造成光损失，影响发光二极管的光取出效率。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种可降低应力，提升晶格品质与光取出效率的。一种发光二极管，其包括一基板、一位于所述基板上缓冲层、一位于所述缓冲层上并且具有第一折射率的图案化层、一位于所述图案化层上并且具有第二折射率的半导体层以及一位于所述半导体层上的发光结构。所述第一折射率小于所述第二折射本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管，其包括一基板、一位于所述基板上缓冲层、一位于所述缓冲层上并且具有第一折射率的图案化层、一位于所述图案化层上并且具有第二折射率的半导体层以及一位于所述半导体层上的发光结构，其特征在于，所述第一折射率小于所述第二折射率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：凃博闵，黄世晟，黄嘉宏，杨顺贵，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94