一种LED结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种LED结构及其制备方法，属于光电器件领域。该LED结构包括n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层，n-GaN层为出光面，本发明专利技术在非出光面的p-GaN层或与p-GaN层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。由于周期性微纳结构在非出光面p-GaN层表面或与p-GaN层接触的透明电极上可表现出独特的光学性质，可大幅改善LED器件的背向反射率；另外，通过改变微纳结构的参数(如结构单元形状、周期、孔径及孔洞深度等)还可实现对材料光学性质的调制，从而有效提高LED器件的出光效率；进一步，对实现金属反射层的工艺兼容性有帮助。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电器件领域，具体涉及一种氮化镓基发光二极管(LED)结构及其制备方法。
技术介绍
LED具有高亮度、低能耗、长寿命、响应速度快等特点，是一种绿色环保型的固体光源，在照明、显示等领域有广泛的应用前景。垂直结构LED具有竖直电学结构，因而在大功率器件的热管理、出光面积、电流扩展等方面具有明显优势。制备垂直结构LED的主要工艺过程包括外延生长、键合、激光剥离、电极蒸镀等。为了提高LED出光效率，常用的技术是粗化出光面，并在反射光面制备反射镜结构，使得不同方向的光尽量多地通过出光面出射。通常的反射层是高反射率的金属如Ag，Al层或多层金属复合结构，然而Ag、Al等的金属特性决定了反射层制备工艺与键合工艺兼容性差，导致垂直结构LED成品率低而不能够实现量产，限制了垂直结构LED的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有周期性微纳结构的LED器件及其制备方法，可提高 LED的出光效率。本专利技术提供的LED结构为出光面为n-GaN层，p_GaN层为反射光面，在p_GaN层或与P-GaN层接触的透明电极(ΙΤ0或Ni/Au等)表面上制备出周期性微纳结构，利用这一周期性结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＬＥＤ结构，包括ｎ－ＧａＮ层、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱层和ｐ－ＧａＮ层，该ＬＥＤ结构的出光面为ｎ－ＧａＮ层，其特征在于，在ｐ－ＧａＮ层或与ｐ－ＧａＮ层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。

【技术特征摘要】
1.一种LED结构，包括n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和ρ-GaN层，该LED结构的出光面为n-GaN层，其特征在于，在ρ-GaN层或与ρ-GaN层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述周期性微纳结构的孔径大于 200nm。3.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，在所述与P-GaN层接触的透明电极上周期性微纳结构的表面蒸镀一层高反射率金属层，构成高反射率电极接触金属反射层。4.一种LED结构的制备方法，包括如下步骤1)制备周期性的AAO模板；2)在蓝宝石衬底上生长GaN基蓝光LED结构，该LED结构，包括n_GaN层、InGaN/GaN 多量子阱层和P-GaN层；3)以AAO模板为掩膜，用干法刻蚀技术刻蚀上述LED结构中的p-GaN层表面，然后去除 AAO模板，在p-GaN层表面上制备出周期性微纳结构。5.一种LED结构的制备方法，包括如下步骤1)制备周期性的AAO模板；2)在蓝宝石衬底上生长G...

【专利技术属性】
技术研发人员：于彤军，吴超，付星星，陈志忠，康香宁，张国义，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11