【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于发光器件的制造领域，涉及一种发光器件的结构及其制造方法，尤其涉及一种垂直结构的发光器件及制造方法。
技术介绍
随着LED (发光二极管)的发光效率不断提高，LED无疑成为近几年来最受重视的光源之一。LED是一种具有节能和环保特性的照明光源，集高光效、低能耗、低维护成本等优良性能于一身。理论上预计，半导体LED照明灯具的发光效率可以达到甚至超过白炽灯的 10倍，日光灯的2倍。目前，LED技术发展的目标是高效率、全固态、环保型LED，推进LED在照明领域的应用。随着LED照明产品功率与光效的提高，结构和材料的选择对LED的性能及使用寿命有决定性影响。当前，GaN(氮化镓)基LED有两种基本结构横向结构和垂直结构。近年来，垂直结构LED已成为研究开发的重点。与传统横向的正装、倒装结构LED相比，垂直结构LED通过晶圆键合或者电镀及激光剥离(LLO)等工艺相结合，将GaN基外延层从蓝宝石衬底转移到导电和导热性能良好的衬底材料上，使P、N电极上下分布，电流垂直注入，从而解决横向结构GaN基LED中由于电极平面分布，电流侧向注入导致的如散热不佳、电流分布不均等...
【技术保护点】
１．一种垂直结构的发光器件，其特征在于：包括一ＬＥＤ芯片和一支撑衬底，该ＬＥＤ芯片包括自上而下依序层叠设置的Ｎ电极、Ｎ电极反射层、氮化镓Ｎ型层、量子阱、氮化镓Ｐ型层、Ｐ电极和芯片键合层，该Ｎ电极和Ｎ电极反射层的面积小于该氮化镓Ｎ型层的面积，该Ｐ电极和芯片键合层在对应Ｎ电极反射层正下方的投影区域具有一窗口，使该氮化镓Ｐ型层在该窗口处外露；该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔，该反射腔的底面具有一反光层；该ＬＥＤ芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上，且该反射腔的底面具有使垂直于Ｎ电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于Ｎ电极反射层的角度射出的结构。
【技术特征摘要】
1.一种垂直结构的发光器件，其特征在于包括一 LED芯片和一支撑衬底，该LED芯片包括自上而下依序层叠设置的N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层，该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面积，该P 电极和芯片键合层在对应N电极反射层正下方的投影区域具有一窗口，使该氮化镓P型层在该窗口处外露；该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔，该反射腔的底面具有一反光层； 该LED芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上，且该反射腔的底面具有使垂直于N 电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于N电极反射层的角度射出的结构。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于该反射腔的底面为与该N电极反射层非平行的平面，或者该反射腔的底面为曲面，或者该反射腔的底面为与该N电极反射层平行的平面且表面粗糙。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于该反射腔的底面剖面为弧形、或波浪形、或锯齿形、或倒三角形。4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其特征在于该反射腔的底面还包括阵列凸起或粗糙的平面结构。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于该反射腔和窗口内填充有高阻透明填充体。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于该反光层的材料为铝、银、钼、钛、锡、 铑、钯或上述金属的合金。7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于在氮化镓N型层的上表面设置有多条N电极反射层，该多条N电极反射层相交于一交点且相邻的N电极反射层之间的角度相等，N电极设置在N电极反射层的交点上表面，该反射腔设置在对应多条N电极反射层正下方的投...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建兴，王瑞珍，赖燃兴，周玉刚，肖国伟，
申请(专利权)人：晶科电子广州有限公司，
类型：发明
国别省市：81
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