半导体发光结构制造技术

本发明专利技术披露一种半导体发光结构。该半导体发光装置具有发光结构以及光学元件。光学元件环绕连接发光结构，且光学元件的折射系数大于或接近于该发光结构的透明基板，或介于透明基板的折射系数与封装材料的折射系数之间。本发明专利技术可以减少被半导体叠层吸收的光线。

Semiconductor light-emitting structure

The invention discloses a semiconductor light-emitting structure. The semiconductor light emitting device has a light emitting structure and an optical element. The optical element is surrounded by a light emitting structure, and the refractive index of the optical element is greater than or close to the transparent substrate of the light-emitting structure, or between the refractive index of the transparent substrate and the refractive index of the packaging material. The invention can reduce the light absorbed by the semiconductor stack.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光装置和封装结构，尤其关于一种具有外接光学元件的半导体发光装置，此光学元件的折射系数大于或接近于发光结构的透明基板的折射系数， 或介于透明基板的折射系数与封装材料的折射系数之间。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode ；LED)是一种固态物理半导体元件，其至少包含p-n结(p-n junction)，此p-n结形成于ρ型与η型半导体层之间。当于ρ_η结上施加一定程度的偏压时，P型半导体层中的空穴与η型半导体层中的电子将会结合而释放出光。 此光产生的区域一般又称为发光区(light-emitting region)。发光区所产生的光朝各个方向前进。然而，使用者通常仅需要特定方向的光，而需要利用反射层或镜面反射部分的光线。此外，LED材料与环境介质间的折射系数差异会造成照射在LED边界的光线在特定入射角下产生全反射。一般来说，上述各种形式的被反射光难以避免地会再行经LED内部。如图IA所示，已知发光二极管100包括基板110与外延层130。外延层130中包括发光层131。发光层131在承受一偏压下会朝各个方向发射光线。外延层130与基本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体发光结构，包含：发光结构，具有数个侧表面、上表面及下表面；光学组件，连接至该数个侧表面中至少一个侧表面，并暴露出该上表面、该下表面、或其二者；金属层，位于该下表面之下；及第一导线，穿过该金属层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71