可编程的信息存储电路制造技术

本发明专利技术涉及一种可编程的信息存储电路，具有可编程的信息存储电路主要分为五个部分：复位电路、分频器、时钟选择电路、存储定时器、信号输出电路。电路功能主要有：计时功能，实现延时输出；断电信息存储功能；电可擦除，电可以快速写入。本发明专利技术的优点在于断电后，信息存储至少12h；该电路的工作电压高，具有很强的抗干扰能力；延时时间长达400s。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，特别涉及一种信息存储电路。
技术介绍
存储电路(EEPROM)主要有两个类别，第一个类别为浮动栅型，完全靠由绝缘层所 包围的多晶硅来存储电荷。第二个类别为MNOS型，它利用两个绝缘层中的界面陷阱捕获电 子或空穴。现有的信息存储电路存在断电后不能进行信息存储以及不能进行编程控制等缺 陷。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决已有的信息存储电路存在的断电后不能进行信息存 储以及不能进行编程控制等缺陷，提供的一种可编程的信息存储电路，该电路具有高电压， 断电后信息长时间存储，电可擦写等功能。本专利技术的技术方案是一种可编程的信息存储电路，其特征在于包括复位电路、分频器、时钟选择电路、 存储定时器、信号输出电路。复位电路，该部分电路是在复位输入信号的作用下，产生长、短脉冲复位信号，用 来复位电路内部的寄存器以及将MNOS存储管存储的信息装载到T触发器的输出端；分频器，该部分电路对主时钟信号CP进行分频；时钟选择电路，由分频控制端FP、FS选择其中一路分频信号输出到存储定时器；存储定时器，由具有存储功能的12位的计数器构成，通过在MNOS存储管的栅极加 不同的Vp电压实现不同的操作，完成擦除和写入功能；输出电路，输出电路接收存储定时单元的计数溢出信号，并产生应答输出信号AS 和输出信号Q2以及充电信号Q6。所述的存储定时单元由具有存储功能的12位的计数器构成，T触发器是构成存储 计数器的主要单元，其中每个T触发器均有一个MNOS存储管，可以设定不同的数据信息，构 成具有信息存储功能的可编程电路。本专利技术的可编程电路采用铝栅PMOS工艺制造技术，负逻辑结构，基本逻辑单元以 增强型PMOS场效应晶体管构成，存储管采用薄栅MNOS结构的场效应晶体管。电路功能主 要有计时功能，实现延时输出；断电信息存储功能；电可擦除，电可写入。写入时可以快速 写入；设定延迟时间后，电路产生应答信号，便于检测是否设定成功。具有信息存储功能的可编程电路电源电压为-MV，电擦除信号为+30V，电写入信号为-30V，断电后，信息存储至少12h。该电路的工作电压高，具有很强的抗干扰能力；延时时间长达400s，可以用于多种延时场合上。本专利技术的优点1.断电信息存储时间长，电可擦除及改写；2.工作电压高，抗干扰能力强；3.信息可编程控制。附图说明图1为本专利技术可编程的信息存储电路的电路结构框图；图2为本专利技术可编程的信息存储电路的电路原理图；图3为本专利技术可编程的信息存储电路的存储定时电路原理图；图4为本专利技术可编程的信息存储电路的为T触发器电路原理图；图5为本专利技术可编程的信息存储电路的为MNOS存储管结构图。具体实施例方式如图1所示，本专利技术提供的一种可编程的信息存储电路的结构框图，包括复位电 路、分频器、时钟选择电路、存储定时器、信号输出电路。如图2所示，本专利技术的电路原理图，共有五部分组成；1136模块是复位电路在外加 输入信号INH的作用下，产生复位脉冲LP和SP及输出信号Q28，同时LP和SP控制分频、 存储定时和输出电路部分，作为分频模块1138的输入，分频模块在外加信号DT的控制 下对时钟信号分频，分别输出T2、T8、TlO三个分频信号，这三个信号有作为时钟选择模块 1134的输入信号，在FP、FS的控制下选择其中一路输出到存储定时器模块，分频模块的输 出信号G27又做为存储定时模块的输入，存储定时模块1137在外加电压VP的控制下，根据 VP的不同完成擦除或写入操作，“写入”操作完成后，信息被存储起来，最后存储定时单元的 计数溢出信号通过输出模块1139产生应答输出信号AS和输出信号Q2以及充电信号Q6，输 出均采用开漏极结构，具有很强的输出驱动能力，可以根据需要，外接下拉电源，实现不同 的输出电压。使用时再次将电路上电复位，将MNOS存储管存储的信息装载到计数器的输出端， 此时电路才准备好进入定时状态，“写入”一次定时值，只要不执行“擦除”操作，电路可以完 成多次定时功能。a)、复位电路单元该部分电路的功能是在复位输入信号的作用下，产生长、短脉 冲复位信号，用来复位电路内部的寄存器以及将MNOS存储管存储的信息装载到T’触发器 的输出端。电路的复位是在复位输入端施加一个高电位脉冲实现，高电位的保持时间大于 4个主时钟CP周期。电路复位之后，应答信号输出端AS为低电位，输出信号Q2为低电位， 充电信号Q6为高电位。b)、分频器单元该部分电路对主时钟信号CP进行分频，产生21分频、28分频、21° 分频信号，经过时钟选择电路的选择之后，提供给存储定时电路作为时钟输入信号。C)、时钟选择单元四选一电路，选择21分频、28分频、21°分频信号。详细的控制结 果见表1 (其中“0”代表0V，“ 1 ”代表-24V)。主时钟CP经过分频器输出21分频、28分频、 210分频三种时钟信号。由分频控制端FP、FS选择其一输出到存储定时器。表1分频控制说明权利要求1.可编程的信息存储电路，其特征在于包括复位电路，该电路是在复位输入信号的作用下，产生长、短脉冲复位信号，用来复位电 路内部的寄存器以及将MNOS存储管存储的信息装载到T触发器的输出端； 分频器，该分频器对主时钟信号CP进行分频；时钟选择电路，由分频控制端FP、FS选择分频器中的一路分频信号输出到存储定时器；存储定时器，由具有存储功能的12位的计数器构成，通过在MNOS存储管的栅极加不同 的VP电压实现不同的操作，完成擦除和写入功能；输出电路，输出电路接收存储定时单元的计数溢出信号，并产生应答输出信号AS和输 出信号Q2以及充电信号Q6。2.根据权利要求1所述的可编程的信息存储电路，其特征在于存储定时单元由具有 存储功能的12位的计数器构成，T触发器是构成存储计数器的主要单元，其中每个T触发器 均有一个MNOS存储管，可以设定不同的数据信息，构成具有信息存储功能的可编程电路。全文摘要本专利技术涉及一种可编程的信息存储电路，具有可编程的信息存储电路主要分为五个部分复位电路、分频器、时钟选择电路、存储定时器、信号输出电路。电路功能主要有计时功能，实现延时输出；断电信息存储功能；电可擦除，电可以快速写入。本专利技术的优点在于断电后，信息存储至少12h；该电路的工作电压高，具有很强的抗干扰能力；延时时间长达400s。文档编号G11C16/32GK102074269SQ200910185618公开日2011年5月25日 申请日期2009年11月24日 优先权日2009年11月24日专利技术者刘小淮, 李明, 杨博, 陈浩, 陈计学, 鲍秀峰 申请人:华东光电集成器件研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
可编程的信息存储电路，其特征在于包括：复位电路，该电路是在复位输入信号的作用下，产生长、短脉冲复位信号，用来复位电路内部的寄存器以及将ＭＮＯＳ存储管存储的信息装载到Ｔ触发器的输出端；分频器，该分频器对主时钟信号ＣＰ进行分频；时钟选择电路，由分频控制端ＦＰ、ＦＳ选择分频器中的一路分频信号输出到存储定时器；存储定时器，由具有存储功能的１２位的计数器构成，通过在ＭＮＯＳ存储管的栅极加不同的ＶＰ电压实现不同的操作，完成擦除和写入功能；输出电路，输出电路接收存储定时单元的计数溢出信号，并产生应答输出信号ＡＳ和输出信号Ｑ２以及充电信号Ｑ６。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李明，杨博，陈浩，陈计学，刘小淮，鲍秀峰，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：34