【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多孔硅材料制备领域，具体地，本专利技术涉及利用硅与卤代烃催化反应实施多孔硅材料制备方法。
技术介绍
多孔硅是一种孔径为纳米到毫米数量级的海绵状的新型功能多孔材料，其独特的光学特性、介电特性、微电子相容性、滤过性、孔可控性及大的比表面积使其在生物分析、免疫检测、绝缘材料、敏感元件及传感器、照明材料、光电器件、集成电路、太阳能电池和锂离子电池等领域具有广泛的应用。多孔硅是一种新型的半导体光电材料，在室温下具有优异的光致发光、电致发光等特性，易与现有硅技术兼容，极有可能实现硅基光电器件等多个领域的应用。目前多孔硅的制备方法主要有湿法化学腐蚀法和电化学腐蚀法。专利CN1212989 公开了一种粉末多孔硅及其水热制备方法，是将硅粉置于含0. 1-0. 8mol/L氟离子的水溶液中，在100-250°C下水热腐蚀0. 5-2小时，调节氧化气氛在2. 0-10. 0N/L，可分别获得在紫外光激发下能稳定发射红、蓝或紫外光的粉末多孔硅。专利US7514369则提出了一种利用染色腐蚀法制备多孔硅粉末和纳米硅的方法，具体是在0. Ig的硅粉里，加入Iml 49%的氢氟...
【技术保护点】
１．一种多孔硅材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：１）在固体催化剂的作用下，硅与气卤代烃加热反应，并控制硅不完全反应同时得到有机硅单体；２）分离未反应的硅，去除杂质后，即制备得到多孔硅材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏发兵，高俊杰，翟世辉，许光文，
申请(专利权)人：中国科学院过程工程研究所，
类型：发明
国别省市：11
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