非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法制造技术

非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于3.0×10-4Pa，温度为25℃±10℃，用纯度为7N的高纯圆块状CdTe单晶靶为靶材，用纯度为5N的高纯Ar气为溅射工作气体，用载玻片为衬底材料，采用单靶常规溅射技术、三靶间歇式溅射技术或者二靶连续间歇式溅射技术，分别实现非晶态CdTe薄膜的制备。本发明专利技术具有工艺可控性强，生产成本低，易于工业化规模生产的优点，能在较低的室温条件下实现非晶态CdTe薄膜的制备，制备的非晶态CdTe薄膜粘附性好，膜质均匀致密。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非晶态碲化镉(CdTe)薄膜的室温磁控溅射方法。
技术介绍
碲化镉(CdTe)是重要的II-VI族化合物半导体材料。经过适当的组分配比调节， CdTe可具有η型和ρ型两种导电类型，η型CdTe和ρ型CdTe载流子的迁移率都较好，其光吸收系数(对波长小于吸收边的光)极大，厚度为1 μ m的CdTe薄膜，能吸收大于CdTe禁带能量99%的辐射能量，因此，CdTe薄膜已成为制备高效率、低成本太阳电池的理想吸收层材料，也适用于制备透射波段为1 30 μ m的红外光学元件。随着第二代碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面(FPA)热成像系统的发展，CdTe薄膜被认为是一种理想的HgCdTe薄膜表面钝化材料。由于HgCdTe器件工艺兼容性的要求，为防止 HgCdTe薄膜层中Hg的扩散和损失，CdTe薄膜的生长必须在低于70°C的条件下进行，这给 CdTe薄膜的制备带来了较大的困难。目前，CdTe薄膜主要采用电沉积方法、近距离升华法、 近距离蒸气输运法、真空热蒸发法等方法来制备，所制备的薄膜其致密性不好，特别在室温沉积条件下，CdTe薄膜与衬底表面的粘附性有待提高。与多晶、单晶CdTe本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于：在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于３．０×１０－４Ｐａ，温度为２５℃±１０℃，用纯度为７Ｎ的高纯圆块状ＣｄＴｅ单晶靶为靶材，用纯度为５Ｎ的高纯Ａｒ气为溅射工作气体，用载玻片为衬底材料，放入溅射生长室，其步骤是：（１）向磁控溅射生长室充入Ａｒ气至真空度为１．０Ｐａ～１０Ｐａ；（２）开启溅射源，起辉稳定后，调节溅射功率８Ｗ～１５Ｗ（相当于功率密度０．２８Ｗ／ｃｍ２～０．５３Ｗ／ｃｍ２）；（３）将作为衬底的处于非溅射靶位正上方的载玻片移至溅射靶位正上方，溅射沉积ＣｄＴｅ膜层，沉积时间为０．２～２小时；（４）溅射沉积结束时...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔令德，庄继胜，孔金丞，赵俊，李雄军，李竑志，王光华，杨丽丽，姬荣斌，
申请(专利权)人：昆明物理研究所，
类型：发明
国别省市：53