温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于3.0×10-4Pa，温度为25℃±10℃，用纯度为7N的高纯圆块状CdTe单晶靶为靶材，用纯度为5N的高纯Ar气为溅射工作气体，用...
该专利属于昆明物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过昆明物理研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。