【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED非金属基板制法,尤指一种高散热LED非金属基板及其制法与高散热LED元件及其制法。
技术介绍
应用于LED晶片封装用基板概可分为金属或如陶瓷基板或硅基板的非金属基板, 以陶瓷板体制造方法来说目前包含有四种制造方法,分别为低温共烧多层陶瓷板(LTCC) 或一高温共烧多层陶瓷板(HTCC)、一直接接合铜基板(DBC)及一直接镀铜基板(DPC);其中又以DBC及DPC基板直接采用陶瓷板体的热导率为最佳,然而由于DBC基板将铜板合成在陶瓷板体上,故必须在摄氏1065-1085度的高温环境下才能完成,相较之下,仅需摄氏 250-350度环境的DPC基板制造方法技术,不论在热导率及制造方法成本上都较其它制造方法佳。目前DPC基板制造方法步骤先将陶瓷板体做前处理清洁,再利用真空镀膜方式于陶瓷板体上溅镀铜箔,再以黄光微影蚀刻技术对铜箔进行图案化以完成线路制作,最后再以电镀及化学镀沉积方式增加线路的厚度。由于采用溅镀铜箔及黄光微影技术,故线路宽度大概在10 50 μ m,因此能有效缩LED封装尺寸,提供高功率且小尺寸LED元件一个较佳的高散热陶瓷基板。虽然 ...
【技术保护点】
1.一种高散热LED非金属基板制法,其包含有:提供一非金属板体;于非金属板体上形成至少一第一贯穿孔;电镀金属板体外表面与该至少第一贯穿孔,而于外表面形成电镀铜层,而各第一贯穿孔内形成实心导热铜柱;及图形化电镀铜层,于第一表面形成有至少一粘晶垫及多打线垫,又于第二表面形成对应粘晶垫的至少一散热垫;其中第一贯穿孔导热铜柱与粘晶垫及散热垫一体成型。
【技术特征摘要】
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