【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备单晶硅的装置及其方法，具体地，涉及一种直拉单晶硅炉装置，以及其方法。
技术介绍
21世纪，世界能源危机促进了光伏市场的发展，晶体硅太阳能电池是光伏行业的主导产品，占市场份额的90%。在国际市场的拉动下，我国太阳能光伏发电产业发展迅速， 我国太阳能电池年产量由原来占世界份额的发展到世界份额的10%以上。与其他晶体硅太阳能电池相比，单晶硅太阳能电池的转化率较高，但其生产成本也高。随着世界各国对太阳能光伏产业的进一步重视，特别是发达国家制定了一系列的扶持政策，鼓励开发利用太阳能，另外，随着硅太阳能电池应用面的不断扩大，太阳能电池的需求量越来越大，硅单晶材料的需求量同比扩大。单晶硅生长技术有两种，区熔法(FZ)和直拉法(CZ)，其中直拉法应用最广泛。直拉法单晶硅的生长过程是将多晶硅放入单晶生长炉中加热熔融，在熔融的多晶硅中插入一个籽晶，调整熔融硅液面的温度，使其接近熔点温度，然后驱动籽晶自上而下伸入熔融硅并旋转，然后缓缓上提籽晶，则单晶硅体进入锥体部分的生长，当锥体直径接近所需的目标直径时，提高籽晶的提升速度，则单晶硅体直径不再增大而进入晶体的中部...
【技术保护点】
１．一种直拉硅单晶炉装置，其包括副室（１）、炉腔（１６）、热屏支撑板（６）、热屏（７）、保温层（１５）、石英坩埚（１０）、石墨坩埚（１１）、加热器（１３），其特征在于，在炉腔（１６）中硅熔体（１４）的上方设置一个两端开口的罩体（５），所述罩体（５）沿着单晶硅生长的方向、且罩体（５）的开口正对着单晶硅的方向设置，罩体（５）与硅熔体（１４）液面接近的一端与硅熔体（１４）液面具有一间距。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周俭，
申请(专利权)人：内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司，周俭，
类型：发明
国别省市：15
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