一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能单晶炉热场技术领域，特别是一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，包括热屏，在热屏的内侧附加一段具有锥度的筒状的冷却器。冷却器和紧贴热屏内侧，和热屏内侧具有相同的锥度。冷却器通过连接管连接到炉筒上，冷却器的冷却介质进出口均设置在炉筒上，冷却介质通过冷却介质进出口并沿连接管进入冷却器进行冷却。炉筒为一段独立的副炉筒。冷却介质进出口上设置流量调节阀。本热场结构设计合理，杜绝了冷却介质与冷却器之间的传递过程存在泄漏的可能，而且在热场中采用冷却装置强化对晶棒的冷却效果，从而增强晶棒纵向温度梯度，提高硅单晶的生长速度，达到快速生长单晶硅棒的目的。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能单晶炉热场
，特别是一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场。
技术介绍
关于单晶炉热场的专利很多，包括降低热场能耗、优化排气以及优化热场温度梯度等方面。也有为提高单晶热场纵向温度梯度而专利技术的复合热屏装置。用不同的方式在热场中的特殊部位设置冷却装置，加强对晶棒的散热以提高晶体纵向温度梯度从而提高晶体的生长速度，但面临如何传递冷却介质的问题，因冷却单元通常在晶体炉内部，且多为活动单元，冷却液体与冷却单元之间的传递往往存在泄漏的安全隐患。且冷却液的输送对炉体结构提出特殊的要求。200910099830. 3提出一种带有水冷夹套的直拉式硅单晶炉，可以一定程度上增强单晶硅棒的冷却效果，但冷却位置离晶体生长界面距离较大，对晶棒的冷却效果不明显，对于提高晶体生长幅度有一定局限性。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种结构合理、可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，包括热屏，在热屏的内侧附加一段具有锥度的筒状的冷却器。冷却器和紧贴热屏内侧，和热屏内侧具有相同的锥度。冷却器通过连接管连接到炉筒上，冷却本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，包括热屏（６），其特征是：在所述的热屏（６）的内侧附加一段具有锥度的筒状的冷却器（１）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志强，黄振飞，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32