【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏行业，具体为一种单晶生长发生漏硅事故时能对内部石墨件和炉体起防护作用的单晶炉。
技术介绍
一般单晶炉生长系统主要由单晶炉体和热场系统组成。单晶炉体是生产单晶硅的主要生长设备，直拉单晶炉的热系统，也就是所谓的热场，是指为了熔化硅料，并使单晶生长保持在一定温度下进行的整个系统(如图1)，主要包含保温系统(上保温盖1、下保温盖 2、上保温筒3、中保温筒4、下保温筒5、导流筒12、保温底板6等)、发热系统(主要有石墨加热器8等)、支撑传动系统(坩埚轴7、托盘9、石墨坩埚10、石英坩埚11等)。在单晶生长过程中往往会因各种原因导致漏硅事故的发生，一般情况下，漏硅事故主要原因是盛放原料的石英坩埚破裂，发生漏硅事故时硅液主要流向如图3所示，硅液从石英坩埚破裂处涌出沿着石墨坩埚的间隙流到托盘、坩埚轴，漏硅量大的时候会顺着坩埚轴流入坩埚轴波纹管内或保温底板和加热器上。传统热场的保温底板是平面的石墨结构 (如图5、图6所示)，保温底板中心处和沿中心线两侧对称有三个贯穿的孔分别用于坩埚轴护套和电极护套的放置。孔与各护套间有一定的缝隙，当硅液流到保温底板上时会沿着这个...
【技术保护点】
１．一种能漏硅后防护的单晶炉，它包括：保温底板（６）、坩埚轴（７）和加热器（８），其特征在于：它还包括：硅液导流装置（１５）和加热器防护罩（１４）；所述硅液导流装置（１５）安装固定于坩埚轴（７）上；所述加热器防护罩（１４）完全罩住加热器（８）的底部，并紧贴着加热器（８）腿部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴亚军，冯立学，梁会宁，胡元庆，李华恩，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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