本实用新型专利技术公开了一种可调节磁场强度的单晶磁场控制装置，主要由给定系统、可编程控制器、整流单元、负载和电流变送器组成；给定系统向可编程控制器提供给定信号，交流电源经交流接触器的主触点通过整流单元给负载提供直流电压，负载串接有电流变送器，电流变送器的输出信号连接到可编程控制器，可编程控制器信号输出端连接交流接触器线圈和开关电源，开关电源给电流变送器供电。本实用新型专利技术利用了变送器检测电流，并反馈标准信号，进一步控制整流输出的原理，其结构简单，设计合理，专门应用于直流负载电源的控制系统，特别适用于单晶电磁场的自动化控制。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种可调节磁场强度的单晶磁场控制装置，主要由给定系统、可编程控制器、整流单元、负载和电流变送器组成；给定系统向可编程控制器提供给定信号，交流电源经交流接触器的主触点通过整流单元给负载提供直流电压，负载串接有电流变送器，电流变送器的输出信号连接到可编程控制器，可编程控制器信号输出端连接交流接触器线圈和开关电源，开关电源给电流变送器供电。本技术利用了变送器检测电流，并反馈标准信号，进一步控制整流输出的原理，其结构简单，设计合理，专门应用于直流负载电源的控制系统，特别适用于单晶电磁场的自动化控制。【专利说明】—种单晶磁场控制装置一、
本技术涉及一种可调节磁场强度的单晶磁场控制装置，应用于直流负载的供电控制系统，特别适用于单晶电磁场的自动化控制。二、
技术介绍
在冶炼单晶硅时，单晶生长过程中需外加磁场方可保证单晶硅的成材率，并且在单晶硅成材的过程中的不同时间段如果能按一定规律调节磁场的强度会进一步提高单晶硅的成材质量。本技术就是针对这一情况对电磁绕阻的供电系统加以改进，可以按生产过程的需要来预设各阶段的供电条件，从而实现在单晶硅成材的过程中的不同时间段自动按预设调节磁场的强度，进而提高单晶硅的成材质量。三、
技术实现思路
本技术的目的是提供一种单晶磁场控制装置，用以调整磁场强度，使输出电流值按设定随时间变化，提高单晶硅的成材质量。本技术采用的技术方案是:单晶磁场控制装置主要由给定系统CMP、可编程控制器PLC、整流单元、负载YAl、电流变送器DLl组成；给定系统CMP向可编程控制器PLC提供给定信号，交流电源经交流接触器KMl的主触点通过整流单元Vl给负载YAl提供直流电压，负载YAl串接有电流变送器DLl，电流变送器DLl的输出信号连接到可编程控制器PLC,可编程控制器PLC输出端连接交流接触器KMl线圈和开关电源NI，开关电源NI给电流变送器DLl供电。工作运行参数通过给定系统设定，导入可编程控制器，可编程控制器通过内部运算控制整流单元的输出，电流变送器检测加载在负载上的直流电流，并输出标准信号反馈给可编程控制器。在给定系统内可预先设定需要运行的各时间段及每段对应的电流值，当设备启动后，系统会按照设定顺序运行。将运行时间设置为η段，每段运行的时间与设定的电流大小为任意。此过程在磁场启动之前在给定系统设置，启动后，电流工作在第一段区间，此时电流值在Tl时间内由O变化到Al，当第一段时间运行结束后，自动运行第二段区间，此时电流在Τ2时间内由Al变化到Α2，依此类推，当系统运行完最后一段区间后，电流按照最后一段设定值An恒定运行，直至关断。本技术利用了变送器检测电流，并反馈标准信号，进一步控制整流输出的原理，其结构简单，设计合理，专门应用于直流负载电源的控制系统，特别适用于单晶电磁场的自动化控制。四、【专利附图】【附图说明】图1为本技术的电路原理图；图2为本技术可编程控制器的电路原理图；图3为本技术开关电源的电路原理图；图4为本技术励磁电流随时间变化的运行图。五、【具体实施方式】单晶磁场控制装置主要由给定系统CMP、可编程控制器PLC、整流单元、负载YAl和电流变送器DLl组成；给定系统CMP向可编程控制器PLC提供给定信号，交流电源经交流接触器KMl的主触点通过整流单元Vl给负载YAl提供直流电压，负载YAl串接有电流变送器DLl,电流变送器DLl的输出信号连接到可编程控制器PLC，可编程控制器PLC信号输出端连接交流接触器KMl线圈和开关电源NI，开关电源NI给电流变送器DLl供电。可编程控制器PLC由主控单元PLCl和扩展模块PLC2组成；给定系统CMP接入主控单元PLCl，电流变送器DLl输出信号连接到扩展模块PLC2的A+、A-端。整流单元包括三相半控桥整流模块Vl和可控硅触发器PCBl，三相半控桥整流模块Vl由可控硅触发器PCBl提供脉冲信号，可控硅触发器PCBl上连接有给定初始信号，在电磁线圈YAl电路上串接有分流器RSl，分流器RSl的电压信号输入到可控硅触发器PCBl。给定系统的人机界面CMP为TPC1262Hi ；可编程控制器PLC的主控单元PLCl为CPU226，模拟量扩展模块PLC2为EM235 ;整流单元的三相半控桥整流模块Vl为MT/DS160-16，可控硅触发器PCBl为LGQC-3-11 ;分流器RSl为FL-2/150A/75mV ;电流变送器 DLl 为 BDLH-Z4aGll-200A ;开关电源 NI 为 SY-60-S24 ;交流接触器KMl为LC1-D95M7C。工作运行参数通过给定系统的人机界面CMP设定，人机界面CMP通过RS485通讯电缆与可编程控制器的主控单元PLCl通讯，将运行参数(运行的时间段的时间及每段对应的电流值)保存到PLCl的内部存储区。此时按下给定系统人机界面CMP上的设备启动按钮，可编程控制器PLC控制交流接触器KMl的吸合。整流单元中的三相半控桥整流模块Vl交流侧得电，可编程控制器的主控单元PLCl根据运行参数自动控制模拟量扩展模块PLC2的输出，分流器RSl的电压信号实时反馈给触发板PCBl，触发板PCBl根据反馈值进一步控制3路脉冲输出，保证三相半控桥整流模块Vl输出的直流电流大小恒定不变。励磁线穿过电流变送器DL1，电流变送器DLl实时检测加载在负载YAl上的直流电流大小，并且根据电流大小输出标准电流信号给可编程控制器的模拟量扩展模块PLC2的模拟量输入第一回路“A+、A-”。可编程控制器的主控单元PLCl实时对比模拟量的输入与输出，进一步保证模拟量输出的准确与平稳。可编程控制器的模拟量扩展模块PLC2输出标准电压信号给整流单元的可控硅触发器PCBl的给定。触发器PCBl提供3路脉冲信号给三相半控桥整流模块VI，三相半控桥整流模块Vl输出相应的直流电给负载YA1。【权利要求】1.一种单晶磁场控制装置，其特征是:该装置主要由给定系统CMP、可编程控制器PLC、整流单元、负载YAl和电流变送器DLl组成；给定系统CMP向可编程控制器PLC提供给定信号，交流电源经交流接触器KMl的主触点通过整流单元Vl给负载YAl提供直流电压，负载YAl串接有电流变送器DL1，电流变送器DLl的输出信号连接到可编程控制器PLC，可编程控制器PLC信号输出端连接交流接触器KMl线圈和开关电源NI，开关电源NI给电流变送器DLl供电。2.根据权利要求1所述的单晶磁场控制装置，其特征是:可编程控制器PLC由主控单元PLCl和扩展模块PLC2组成；给定系统CMP接入主控单元PLC1，电流变送器DLl输出信号连接到扩展模块PLC2的A+、A-端。3.根据权利要求2所述的单晶磁场控制装置，其特征是:整流单元包括三相半控桥整流模块Vl和可控硅触发器PCBl，三相半控桥整流模块Vl由可控硅触发器PCBl提供脉冲信号，可控硅触发器PCBl上的给定信号由可编程控制器PLC的扩展模块PLC2输出端给出，在电磁线圈YAl电路上串接有分流器RS1，分流器RSl的电压信号输入到可控硅触发器PCBl。【文档编号】C30B30/04GK203530500SQ201320665265【公开日】2014年本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种单晶磁场控制装置，其特征是：该装置主要由给定系统CMP、可编程控制器PLC、整流单元、负载YA1和电流变送器DL1组成；给定系统CMP向可编程控制器PLC提供给定信号，交流电源经交流接触器KM1的主触点通过整流单元V1给负载YA1提供直流电压，负载YA1串接有电流变送器DL1，电流变送器DL1的输出信号连接到可编程控制器PLC，可编程控制器PLC信号输出端连接交流接触器KM1线圈和开关电源N1，开关电源N1给电流变送器DL1供电。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张承臣，吴永博，唐奇，杨春，
申请(专利权)人：沈阳隆基电磁科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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