一种控制氧施主单晶的生产工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种控制氧施主单晶的生产工艺方法，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，其特征在于：在上述所有步骤中，单晶炉体内的坩埚（1）内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为坩埚（1）内的液面与导流屏（2）底部的距离是15～25mm。本发明专利技术的有益效果是：通过对生产步骤中籽晶转速的控制、坩埚的转速控制、坩埚上升速度的控制和惰性气体流量的控制以及单晶炉体内保温层和导流屏保温层的改进，减少单晶处于氧施主产生空间的时间,达到降低氧施主的目的。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，其特征在于：在上述所有步骤中，单晶炉体内的坩埚（1）内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为坩埚（1）内的液面与导流屏（2）底部的距离是15～25mm。本专利技术的有益效果是：通过对生产步骤中籽晶转速的控制、坩埚的转速控制、坩埚上升速度的控制和惰性气体流量的控制以及单晶炉体内保温层和导流屏保温层的改进，减少单晶处于氧施主产生空间的时间,达到降低氧施主的目的。【专利说明】
本专利技术涉及单晶生产工艺
，尤其是。
技术介绍
近年来随着市场形势的变化，对产品质量要求极为严格，在单晶生产过程中，氧施主单晶是造成不合格单晶的重要组成部分，氧施主单晶比例占生产单晶的30%，造成大比例氧施主单晶不能满足市场形势的需求，在单晶销售利润率不断下降。大量氧施主单晶直接造成生产成本增加，给公司造成严重经济损失，因此有效降低氧施主单晶，不断提高单晶质量，降低生产成本迫在眉睫。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种减少生产中产生氧施主单晶的、提高单晶质量的控制氧施主单晶的生产工艺方法。为了完成上述目的，本专利技术采用的技术方案是:，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，在上述所有步骤中，单晶炉体内的干锅内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为干锅内的液面与导流屏底部的距离是15~25mm ；所述的引颈步骤中，籽晶的转速为7~8r/min，坩埚的转速为7~9r/min，坩埚上升的速度为Omm/min ；所述的放肩步骤中，籽晶的转速为7~8r/min，坩埚的转速为7~9r/min，坩埚上升的速度为0.05~0.15mm/min ；`所述的转肩步骤中，籽晶的转速为7~8r/min，坩埚的转速为7~9r/min，坩埚上升的速度为0.15~0.2mm/min ；所述的等径步骤中，籽晶的转速为7~8r/min，坩埚的转速为7~9r/min，坩埚上升的速度为0.19~0.25mm/min ；所述的收尾步骤中，籽晶的转速为7~8r/min，坩埚的转速为7~9r/min，坩埚上升的速度为0.15~0.05mm/min。所述的控氧步骤为控制单晶炉体内的惰性气体流量，在所述的引颈步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量为30~40L/min ；在所述的放肩步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量为30~40L/min ；在所述的转肩步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量为30~40L/min ；在所述的等径步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量从40L/min匀速减少至到20L/min ；在所述的收尾步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量为20L/min。所述的引颈步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚的转速为8r/min，坩埚上升的速度为 Omm/min ；所述的放肩步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚的转速为8r/min，坩埚上升的速度为从0.05mm/min匀速增加到0.15mm/min ；所述的转肩步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚的转速为8r/min，坩埚上升的速度为 0.15mm/min 匀速增加到 0.195mm/min ；所述的等径步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚的转速为8r/min，坩埚上升的速度为 0.195mm/min 匀速增加到 0.22mm/min ；所述的收尾步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚的转速为8r/min，坩埚上升的速度为 0.lmm/min。在所述的引颈步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量为30L/min ；在所述的放肩步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量为30L/min ；在所述的转肩步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量为30L/min ；在所述的等径步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量从30L/min匀速减少到20L/min ；在所述的收尾步骤中，单晶炉体内的惰性气体流量为20L/min。还包括单晶炉体内保温层和导流屏保温层的改进，所述的单晶炉体内保温层从坩埚的上口部分为上下两部分相连接的上部保温区和下部保温区，所述的保温层的侧壁整体为上薄下厚形，下部保温区的厚度至少不小于80mm，上部保温区的厚度不大于58mm ;所述的导流屏保温层的改进包括保温层高度的改进和保温层位置的改进，导流屏内部的保温层高度降低至不高于167mm，导流屏内部的保温层设置在导流屏的底部，在导流屏内部的顶部设有空腔。本专利技术的有益效果是:通过对生产步骤中籽晶转速的控制、坩埚的转速控制、坩埚上升速度的控制和惰性气体流量的控制以及单晶炉体内保温层和导流屏保温层的改进，减少单晶处于氧施主产生空间的时间，达到降低氧施主的目的。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术中单晶炉的结构示意图。图2是现有技术中单晶炉的结构示意图。图中，1、坩埚，2、导流屏，3、上部保温区，4、下部保温区。【具体实施方式】本专利技术为，通过对生产步骤中籽晶转速的控制、坩埚的转速控制、坩埚上升速度的控制和惰性气体流量的控制以及单晶炉体内保温层和导流屏保温层的改进，减少单晶处于氧施主产生空间的时间，达到降低氧施主的目的。下面结合附图对本专利技术做进一步说明。具体实施例1，如 图1所示，，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，在上述所有步骤中，单晶炉体内的坩埚I内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为坩埚I内的液面与导流屏2底部的距离是15~25mm，因为在不影响成晶的前提条件下，坩埚I埚位的提高使得单晶生长速度加快，减少单晶处于氧施主产生空间的时间，达到降低氧施主的目的；所述的引颈步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚I的转速为7r/min，坩埚I上升的速度为Omm/min,单晶生长的速度为2mm/min~6mm/min,此时还包含控氧步骤,单晶炉体内的惰性气体流量为30L/min，在不影响成晶的前提条件下，保持高锅位且坩埚I埚位的提高使得单晶生长速度加快，减少单晶处于氧施主产生空间的时间，达到降低氧施主的目的；所述的放肩步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚I的转速为7r/min，坩埚I上升的速度为0.05mm/min,单晶生长的速度为0.7mm/min,此时还包含控氧步骤,单晶炉体内的惰性气体流量为30L/min，确保在整个放肩过程中埚位始终保持在引颈高埚位，使转肩后单晶生长速度加快，减少单晶处于氧施主产生空间的时间，达到降低氧施主的目的；所述的转肩步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚I的转速为7r/min，坩埚I上升的速度为0.15mm/min,单晶生长的速度为0.7mm/min~2mm/min,此时还包含控氧步骤,单晶炉体内的惰性气体流量为30L/min，继续加大埚升给定比例，直到给定的埚升比例符合等径埚升比例，确保在整个转肩过程中埚位始终保持在引颈高埚位，使单晶生长速度始终保持高拉速，减少单晶处于氧施主产生区域的时间，达到降低氧施主的目的；所述的等径步骤中，籽晶的转速为7r/min，坩埚I的转速为7r/min，坩埚I上升的速度为0.19mm/min,单晶生长的速度为0.85mm/min~1.05mm/min,此时还包含控氧步骤，单晶炉体内的惰性气体流量从30L/min匀速减少至到20L/min，保证真空泵抽速，增大惰性气体的流量，既要保证晶体生长埚位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制氧施主单晶的生产工艺方法，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，其特征在于：在上述所有步骤中，单晶炉体内的坩埚（1）内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为坩埚（1）内的液面与导流屏（2）底部的距离是15～25mm；所述的引颈步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0mm/min；所述的放肩步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.05～0.15mm/min；所述的转肩步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.15～0.2mm/min；所述的等径步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.19～0.25mm/min；所述的收尾步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.15～0.05mm/min。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李广哲，刘英江，李杰涛，赵聚来，
申请(专利权)人：宁晋晶兴电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13