直拉硅单晶炉装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种提高单晶硅纯度的直拉硅单晶炉装置，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔（１６）中硅熔体（１４）的上方设置一个两端开口长筒形的罩体（５），所述罩体（５）的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室（１）内，罩体（５）与硅熔体（１４）液面接近的一端与硅熔体（１４）液面具有一间距。利用带有罩体的单晶炉装置所拉制的单晶硅的纯度比现有技术的单晶炉装置所得单晶的纯度提高了１０倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种制备单晶硅的装置，具体地，涉及一种直拉硅单晶炉装置。
技术介绍
21世纪，世界能源危机促进了光伏市场的发展，晶体硅太阳能电池是光伏行业的 主导产品，占市场份额的90%。在国际市场的拉动下，我国太阳能光伏发电产业发展迅速， 我国太阳能电池年产量由原来占世界份额的发展到世界份额的10%以上。与其他晶体 硅太阳能电池相比，单晶硅太阳能电池的转化率较高，但其生产成本也高。随着世界各国对 太阳能光伏产业的进一步重视，特别是发达国家制定了一系列的扶持政策，鼓励开发利用 太阳能，另外，随着硅太阳能电池应用面的不断扩大，太阳能电池的需求量越来越大，硅单 晶材料的需求量同比扩大。单晶硅生长技术有两种，区熔法(FZ)和直拉法(CZ)，其中直拉法应用最广泛。直 拉法单晶硅的生长过程是将多晶硅放入单晶生长炉中加热熔融，在熔融的多晶硅中插入 一个籽晶，调整熔融硅液面的温度，使其接近熔点温度，然后驱动籽晶自上而下伸入熔融硅 并旋转，然后缓缓上提籽晶，则单晶硅体进入锥体部分的生长，当锥体直径接近所需的目标 直径时，提高籽晶的提升速度，则单晶硅体直径不再增大而进入晶体的中部生长阶段；生长 接近尾期本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直拉硅单晶炉装置，其包括副室（１）、炉腔（１６）、热屏支撑板（６）、热屏（７）、保温层（１５）、石英坩埚（１０）、石墨坩埚（１１）、加热器（１３），其特征在于，在炉腔（１６）中硅熔体（１４）的上方设置一个两端开口的罩体（５），所述罩体（５）沿着单晶硅生长的方向、且罩体（５）的开口正对着单晶硅的方向设置，罩体（５）与硅熔体（１４）液面接近的一端与硅熔体（１４）液面具有一间距。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周俭，
申请(专利权)人：内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司，周俭，
类型：实用新型
国别省市：15[中国|内蒙]