微机电结构的制造方法技术

本发明专利技术在此揭露一种微机电结构的制造方法，其包括以下步骤：(1)形成电路层于第一基板的上表面，电路层包括微机电结构以及释放特征结构；(2)形成抗蚀刻层于电路层上，抗蚀刻层不覆盖释放特征结构；(3)通过湿蚀刻制程移除释放特征结构，以露出第一基板；(4)非等向性蚀刻露出的第一基板的一部分；(5)配置第二基板于电路层上方；(6)形成一孔洞于该第一基板的该下表面；(7)填充一高分子材料于该孔洞中；以及(8)释放该微机电结构。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种微机电结构的制造方法，其特征在于，包括：（ａ）形成一电路层于一第一基板的一上表面，其中该电路层包括一微机电结构、一释放特征结构以及一连接垫，该微机电结构具有一贯穿该电路层的释放特征结构，且该释放特征结构由一金属材料所制成；（ｂ）形成一抗蚀刻层于该电路层，其中该抗蚀刻层不覆盖该释放特征结构；（ｃ）通过湿蚀刻制程移除该释放特征结构，以露出该第一基板；（ｄ）非等向性蚀刻该第一基板的上表面的一部分；（ｅ）配置一第二基板于该电路层上方；（ｆ）形成一孔洞于该第一基板的一下表面，以露出位于该连接垫下方的该电路层；（ｇ）填充一高分子材料于该孔洞中；以及（ｈ）移除该第一基材的位于该微机电结构下方的一部分，以释放该微机电结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓翔，
申请(专利权)人：汉积科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71