感光结构的制造方法技术

本发明专利技术揭露一种感光结构的制造方法，包含下列步骤：(a)形成电路层于第一基板的上表面，其中第一基板包含至少一光感测组件，电路层包含至少一组件结构及至少一释放特征结构，且释放特征结构由金属材料形成，并形成于部分的光感测组件及组件结构上；(b)覆盖第一滤光层于电路层的部分区域上；以及(c)通过湿蚀刻工艺移除释放特征结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种感光电路的制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
半导体工艺在电子装置应用愈来愈广的情形下，将各种不同的组件予以整合于同一芯片上，已经是主流趋势。诸如光感测组件、主动组件电路、微结构等等，均可在分开进行光感测主动组件工艺与微结构工艺后，整合于同一基材上。如此的制造方法又称为系统级封装(System-in-Package ；SIP)。另一种已知工艺是在形成光感测组件及主动组件电路后，再进行微结构的工艺， 再进行主动组件电路的金属化工艺而完成晶片层级(wafer level)的系统，并在将晶片切割为芯片后，进行封装完成芯片的制造。在微结构制造过程中，通常采用反应性离子蚀刻 (RIE)的等离子蚀刻方式形成微结构中，可移动的构件或部分。但是，上述方式所形成的微结构的轮廓(profile)并不理想。并且，反应性离子蚀刻所需设备昂贵。此外，微结构形成后，在进行芯片封装之前，环境中的微粒或污染物可能掉落至微结构中，使其无法运作。因此，如何设计一个新的，以克服上述的缺失，乃为此一业界亟待解决的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种，克服现有技术的缺陷。本专利技术的一实施方式是在提供一种，包含下列步骤(a)形成电路层于第一基板的上表面，其中第一基板包含至少一光感测组件，电路层包含至少一组件结构及至少一释放特征结构，且释放特征结构由金属材料形成，并形成于部分的光感测组件及组件结构上；(b)覆盖第一滤光层于电路层的部分区域上；以及(c)通过湿蚀刻工艺移除释放特征结构。依据本专利技术一实施例，其中形成电路层的步骤包含形成互补式金属氧化物半导体组件及/或双载子互补式金属氧化物半导体组件。其中形成互补式金属氧化物半导体组件及/或双载子互补式金属氧化物半导体组件时包含形成释放特征结构。依据本专利技术另一实施例，在步骤(a)还包含形成保护层于电路层上，其中保护层不覆盖释放特征结构。在步骤(c)前还包含形成抗蚀刻层于第一滤光层上保护层上。在步骤(c)后还包含配置第二基板于电路层上方以及第一滤光层上。其中第二基板为玻璃基板或硅基材，且具有为约50 μ m至约500 μ m的厚度。第二基板包含第二滤光层，以置于电路层及第一滤光层的部分区域上。依据本专利技术又一实施例，其中释放特征结构形成于组件结构上并围绕组件结构的周围部分，以贯穿电路层，在通过湿蚀刻工艺移除释放特征结构后，还包含曝露出第一基板的上表面于曝露出第一基板的上表面后还包含一步骤非等向性蚀刻第一基板的上表面4CN 102420234 A说明书2/7页 的部分。在步骤(C)后还包含下列步骤(d)形成孔洞于第一基板的下表面，以曝露出对应于连接垫下方的电路层；(e)填充高分子材料于孔洞中；以及(f)移除第一基板对应于微机电结构下的部分，以释放微机电结构。在步骤(e)后及步骤(d)前还包含一步骤研磨第一基板的下表面，以减少第一基板的厚度。依据本专利技术再一实施例，其中释放特征结构形成于组件结构或光感测组件上并穿透电路层的一深度，在通过湿蚀刻工艺移除释放特征结构后，还包含曝露电路层对应深度的部分。依据本专利技术更具有的一实施例，其中组件结构实质上为微光机电结构。依据本专利技术再具有的一实施例，其中形成保护层的步骤包含形成氧化物层。湿蚀刻工艺使用包含硫酸及过氧化氢的蚀刻剂。依据本专利技术一实施例，非等向性蚀刻包含深式反应离子蚀刻步骤。非等向性蚀刻第一基板的上表面的部分的步骤，包含形成凹陷部于第一基板，且凹陷部的深度为约5μπι 至约60 μ m。依据本专利技术一实施例，其中非等向性蚀刻包含一反应离子蚀刻步骤。依据本专利技术另一实施例，其中非等向性蚀刻包含一反应离子蚀刻步骤以及一深式反应离子蚀刻步骤。依据本专利技术又一实施例，在步骤(f)后还包含下列步骤(g)形成第三基板于第一基板下；(h)形成连接孔，以贯穿第三基板、高分子材料以及电路层，以通过连接孔曝露出连接垫；(i)形成导电层于连接孔的侧壁上，以与连接垫相连接；以及(j)形成连接导体凸块于导电层上。其中连接垫电性连接于组件结构，以使组件结构通过连接垫、导电层以及连接导体凸块与外部电路连接。连接垫亦可电性连接于互补式金属氧化物半导体组件及/或双载子互补式金属氧化物半导体组件，以使互补式金属氧化物半导体组件及/或双载子互补式金属氧化物半导体组件通过连接垫、导电层以及连接导体凸块与外部电路连接。应用本专利技术的优点在于通过整合式的，可以在同一工艺内完成感光结构中不同类型的组件，而轻易地达到上述的目的。附图说明明如下 为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说图IA及图IB为本专利技术一实施例中，的流程图； 图2A至图2J为图IA及图IB中的制造方法中，各工艺阶段的剖面示意图； 图观为本专利技术另一实施例中，形成有悬浮结构的感光结构的示意图； 图3为本专利技术另一实施例中，的流程图；以及图4A至图4C为图3的制造方法中，各工艺阶段的剖面示意图。主要组件符号说明101-109:步骤200:电路层201 金属层202 组件结构203 连接垫204 释放特征结构20 :接点205:介电材料5206:介电材料层207:第一滤光层208 互补式金属氧化物半导体组件 209 下表面210:第一基板212 上表面214a-214d 光感测组件216 下表面230 保护层232 保护层M0:凹陷部250:第二基板252 粘着层2M 第二滤光层260 孔洞262 侧壁264 高分子材料301-304 步骤400 第三基板402 连接孔404:导电层406 下表面408 连接导体凸块具体实施例方式请同时参照图IA以及图2A至图2J。图IA为本专利技术一实施例中，感光结构的制造 方法的流程图。图2A至图2J为本专利技术一实施例中，各工艺阶段的剖面示意图。感光结构 的制造方法包括下列步骤(应了解到，在本实施方式中所提及的步骤，除特别叙明其顺序 者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行。)进行步骤101，形成电路层200于第一基板210的上表面。请参照图2A，电路层 200形成于第一基板210的上表面212。在一实施例中，第一基板210可为硅晶片，并包含 光感测组件2Ma、214b、2Mc及214d。电路层200包含组件结构202、释放特征结构204以 及介电材料层206。释放特征结构204由金属材料所制成。实质上，金属材料内亦会包含介 电层材料，同时在后续的湿蚀刻时会将此介电层材料移除。释放特征结构204可形成于部 分的光感测组件及组件结构202上。在本实施例中，释放特征结构204形成于光感测组件2Ma、214d上，并围绕组件结 构202的周边的一部分，以贯穿电路层200。其中，形成于光感测组件21 上的释放特征结 构204贯穿电路层200较深的深度，以形成于光感测组件21 —较短距离的上方。而形成 于光感测组件214d上的释放特征结构204则仅贯穿电路层200 —较浅的深度，与光感测组 件214d间具有较长的距离，而此距离内的电路层200还包含有形状的金属层201。在一实施例中，形成电路层200的步骤包含形成一互补式金属氧化物半导体 (CMOS)组件208。在已知的互补式金属氧化物半导体组件208的标准工艺中，可包括4道 的金属化工艺以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓翔，邱奕翔，陈仁杰，
申请(专利权)人：汉积科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：