在单晶基板上形成悬浮物件的方法技术

本发明专利技术公开一种在单晶（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）基板上形成悬浮物件的方法，其中所述单晶基板的硅基层上具有由至少一湿式蚀刻区、至少一电路区及至少一微结构区所组成的电路层，所述湿式蚀刻区是作为所述电路区与所述微结构区间的区隔，并往下延伸至所述硅基层的表面，进而形成从基板上方蚀刻所述硅基层的蚀刻路径，接着以干式蚀刻的方式分别从硅基层的上、下两面进行蚀刻而悬浮所述微结构区。

Method for forming suspended objects on a single crystal substrate

The invention discloses a method for forming a single crystal (monolithic) in suspended objects on the substrate, wherein the substrate of single crystal silicon base on a circuit layer is composed of at least a wet etching area, at least one circuit area and at least one micro structure region, the wet etching area as the circuit area and the micro structure interval of the segment, and extends down to the surface of silicon base layer, and forming an etch path from the substrate to the etching of the silicon base, followed by dry etching the silicon base respectively from the upper and lower sides of the etching and suspended microstructures.

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，其包括：（ａ）提供一单晶基板，其是由一硅基层以及所述硅基层上方的电路层所组成，所述电路层中具有至少一湿式蚀刻区，且所述湿式蚀刻区是延伸至硅基层的表面；（ｂ）以湿蚀刻的方式移除湿式蚀刻区内的材料，直至所述硅基层；（ｃ）以非等向性的干蚀刻方式，对湿式蚀刻区底部的硅基层进行蚀刻，至一预定的蚀刻深度；以及（ｄ）从所述单晶基板下表面移除部分的硅基层，直至步骤（ｃ）中的预定蚀刻深度位置处。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓翔，
申请(专利权)人：汉积科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]