A method for small size graphics making use of atomic beam and nano hole, which comprises the following steps: first, using microfabrication technology, using the method of dry etching and wet etching combined, produce nano array pore structure, the formation of nano hole array mask; two, to the original work for atomic particles or etching atomic deposition processing; three, according to the alignment structure and alignment pattern are aligned with substrate or moving the mask to create nano structure; the invention is in nano scale implementation of a new type of nano structured atomic and graphical method, which provides technical support for the control of surface atomic beam and other nano machining technology has played a role in promoting.
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种利用原子束和纳米孔进行微小尺寸图形制作的方法，其特征在于，包括以下步骤：一、制作出阵列纳米孔掩模（７）：利用微细加工技术，在硅衬底表面制作出带有掩模层保护的硅图形结构，采用干法刻蚀技术制作出垂直的硅深孔结构，孔的深度为３００－３９０微米，，然后用各向异性腐蚀获得孔径可控的硅阵列纳米孔（２）；二、以原子（１）为工作粒子进行原子刻蚀或者原子沉积加工，采用共振光的辐射压力或光抽运作用使原子束产生强度不一的分布，然后使原子束沉积在基板上或使基板上的膜层“曝光”；所说的工作粒子是中性原子、中性亚稳态原子、激发态原子或带电粒子；三、根据对准结构（４）和对准图形（６）进行对准，利用衬底（８）或者掩模（７）的移动完成纳米结构（５）的制作：需要采用传统的光学对准方法通过０－５ｍｍ大尺寸的运动控制０－１ｍｍ大跨度的移动和纳米级的移动控制小于１０纳米精度的微动，控制方法采用ＮＥＭＳ场发射纳米电子束对准的级联控制方法，在纵向运动方面，纳米尺度上的平面找准使掩模（７）和硅衬底（８）之间保持平行且间距在０－５ｍｍ可调，调节好间距后，保持该固定间距进行图形操作。
【技术特征摘要】
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