微机电装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种微机电装置及其制造方法，包括提供一半导体基板，其包括半导体层与内连结构。接着，形成一保护层与一光致抗蚀剂层在内连结构之上，并在光致抗蚀剂层内形成露出保护层一部的多个开口，且去除为开口所露出的保护层及其下方的内连结构，以形成多个第一沟槽。部分去除为第一沟槽所露出的半导体层，以在半导体层内形成多个第二沟槽。以及贴附一上盖基板于保护层以形成复合基板，薄化复合基板内的半导体层，留下经薄化的半导体层。最后部分去除经薄化的半导体层并形成一第三沟槽，以在第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽之间的一区域内形成了悬浮的微加工结构。

MEMS device and method of manufacturing the same

The invention discloses a micro electro mechanical device and a manufacturing method thereof, which comprises providing a semi conductor substrate, comprising a semiconductor layer and an inner connecting structure. Then, the formation of a protective layer and a photoresist layer, even on the structure, and the photoresist layer is formed with a plurality of openings of a protective layer, and removing layer and below the exposed opening protection internal connecting structure to form a plurality of first grooves. A portion of the semiconductor layer exposed to the first groove is removed to form a plurality of second trenches within the semiconductor layer. And attached to a cover to protect the substrate layer to form a composite substrate, thin semiconductor layer in composite substrate, leaving the semiconductor layer thinning. Finally, the thin semiconductor layer is removed and a third trench is formed to form a suspended microstructure within a region between the first groove, the second trench and the third trench.

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种微机电装置的制造方法，包括：提供一半导体基板，包括一半导体层以及位于该半导体层上的一内连结构；依序形成一保护层与一光致抗蚀剂层于该内连结构之上；在该光致抗蚀剂层内形成多个开口，该些开口分别露出该保护层的一部；施行一第一蚀刻程序，以该光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，去除为该些开口所露出的该保护层及其下方的该内连结构，以形成露出该半导体层的一部的多个第一沟槽；去除该光致抗蚀剂层并露出该保护层；施行一第二蚀刻程序，以该保护层作为蚀刻掩模，部分去除为该些第一沟槽所露出的该半导体层，以在该半导体层内形成多个第二沟槽；提供一上盖基板，贴附于该保护层以形成一第一复合基板；薄化该第一复合基板内的未设置有该些第二沟槽的该半导体层的一表面，留下一经薄化的半导体层；以及施行一第三蚀刻程序，部分去除该经薄化的半导体层以于其内形成一第三沟槽，其中该第三沟槽露出并连接了该些第二沟槽，且该些第一沟槽、该些第二沟槽与该第三沟槽之间的一区域内定义形成了一悬浮的微加工结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慈祥，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]