System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 放大装置制造方法及图纸_技高网

放大装置制造方法及图纸

技术编号:40405288 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-20 22:28
一种放大装置包含信号输入端、信号输出端、放大单元、耦合器、电感性组件及电容性组件。该放大单元包含输入端及输出端,其中输入端耦接于该信号输入端。该耦合器包含输入端、输出端及耦合端,其中该输入端耦接于该放大单元的该输出端,且该输出端耦接于该信号输出端。该电感性组件并联于该耦合器,且包含第一端及第二端,其中该第一端耦接于该放大单元的该输出端,且该第二端耦接于该耦合器的该输出端。该电容性组件包含第一端及第二端,其中该第一端耦接于该耦合器的该输出端,且该第二端用以耦接于参考电压端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种放大装置,尤指一种包含放大单元及耦合器且可降低插入损耗及电路面积的放大装置。


技术介绍

1、在射频电路中,可使用放大器耦接匹配电路及耦合器,以将信号放大及处理后,输出至射频电路或天线以进行收发。

2、在此传统架构中,耦合器往往造成耦合损耗(coupler loss),而使信号的功率下降,从而不利于信号的质量。

3、此外,匹配电路及耦合器也常导致整体的电路面积难以缩减。因此,本领域仍欠缺更适宜的解决方案,以降低插入损耗,以及改善电路面积。


技术实现思路

1、实施例提供一种放大装置包含信号输入端、信号输出端、放大单元、耦合器、电感性组件及电容性组件。该放大单元包含输入端及输出端,其中输入端耦接于该信号输入端。该耦合器包含输入端、输出端及耦合端,其中该输入端耦接于该放大单元的该输出端,且该输出端耦接于该信号输出端。该电感性组件并联于该耦合器,且包含第一端及第二端,其中该第一端耦接于该放大单元的该输出端,且该第二端耦接于该耦合器的该输出端。该电容性组件包含第一端及第二端,其中该第一端耦接于该耦合器的该输出端,且该第二端用以耦接于参考电压端。

2、另一实施例提供一种放大装置,包含信号输入端、信号输出端、放大单元、第一耦合器、第一电容性组件、第二耦合器及第二电容性组件。该放大单元包含输入端耦接于该信号输入端,及输出端。该第一耦合器包含输入端耦接于该放大单元的该输出端,输出端耦接于该信号输出端,及耦合端。该第一电容性组件包含第一端耦接于该第一耦合器的该输出端,及第二端用以耦接于参考电压端。该第二耦合器包含输入端耦接于该放大单元的该输出端,输出端耦接于该信号输出端,及耦合端。该第二电容性组件包含第一端耦接于该第二耦合器的该输出端,及第二端用以耦接于该参考电压端。

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【技术保护点】

1.一种放大装置,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的放大装置,其特征在于,其中该耦合器还包含:

3.如权利要求2所述的放大装置,其特征在于,其中该第一电感性组件是与该第一耦合组件及该第二耦合组件电感性隔离。

4.如权利要求2所述的放大装置,其特征在于,其中该第一耦合组件及该第二耦合组件之间具有一第一最大距离,该第二耦合组件及该第一电感性组件之间具有一第一最小距离,及

5.如权利要求1所述的放大装置,其特征在于,另包含:

6.如权利要求5所述的放大装置,其特征在于,其中:

7.如权利要求5所述的放大装置,其特征在于,其中:

8.如权利要求1至7中任一项所述的放大装置,其特征在于,其中该第一电感性组件包含一第一导线或一电感器。

9.如权利要求1所述的放大装置,其特征在于,其中该放大单元设置于一第一晶粒,该耦合器设置于一第二晶粒。

10.如权利要求9所述的放大装置,其特征在于,其中该耦合器的该输入端透过一第二导线耦接于该放大单元的该输出端,及该耦合器的输出端透过一第三导线耦接于该信号输出端。

11.如权利要求10所述的放大装置,其中该信号输出端设置于一第三晶粒,用以耦接于一射频电路。

12.一种放大装置,其特征在于,包含:

13.如权利要求12所述的放大装置,其特征在于,其中该放大装置更包含:

14.如权利要求13所述的放大装置,其特征在于,其中该第一电感性组件包含一第一导线或一电感器。

15.如权利要求12所述的放大装置,其特征在于,另包含:

16.如权利要求12所述的放大装置,其特征在于,其中

17.如权利要求16所述的放大装置,其特征在于,其中该第一电感性组件与该第一耦合组件、该第二耦合组件、该第三耦合组件及该第四耦合组件电感性隔离。

18.如权利要求16所述的放大装置,其特征在于,其中该第一耦合组件、该第二耦合组件、该第三耦合组件及该第四耦合组件产生的电感值皆小于1纳亨利。

19.如权利要求12所述的放大装置,其特征在于,其中

20.如权利要求12所述的放大装置,其特征在于,其中该放大单元设置于一第一晶粒,该第一耦合器与该第二耦合器设置于一第二晶粒。

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【技术特征摘要】

1.一种放大装置,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的放大装置,其特征在于,其中该耦合器还包含:

3.如权利要求2所述的放大装置,其特征在于,其中该第一电感性组件是与该第一耦合组件及该第二耦合组件电感性隔离。

4.如权利要求2所述的放大装置,其特征在于,其中该第一耦合组件及该第二耦合组件之间具有一第一最大距离,该第二耦合组件及该第一电感性组件之间具有一第一最小距离,及

5.如权利要求1所述的放大装置,其特征在于,另包含:

6.如权利要求5所述的放大装置,其特征在于,其中:

7.如权利要求5所述的放大装置,其特征在于,其中:

8.如权利要求1至7中任一项所述的放大装置,其特征在于,其中该第一电感性组件包含一第一导线或一电感器。

9.如权利要求1所述的放大装置,其特征在于,其中该放大单元设置于一第一晶粒,该耦合器设置于一第二晶粒。

10.如权利要求9所述的放大装置,其特征在于,其中该耦合器的该输入端透过一第二导线耦接于该放大单元的该输出端,及该耦合器的输出端透过一第三导线耦接于该信号输出...

【专利技术属性】
技术研发人员:万光烈
申请(专利权)人:立积电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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