【技术实现步骤摘要】
本申请涉及过流保护，尤其涉及一种含有过流保护的驱动电路、电路板及电子设备。
技术介绍
1、相关技术中，mos管作为一种压控型电子器件，因输入电阻高、噪声低、热稳定性好、抗干扰能力强、功耗低等优点，被广泛应用于驱动电路。基于mos管的驱动电路，在进行较大电流的驱动时，由于工作环境复杂，电流往往会存在突变的情况，因此，假如没有对mos管进行过流保护，往往很容易因较大电流导致mos管烧毁。以往的保护方案，往往是偏向于对经过mos管的电流进行检测，在通过控制系统进行相关处理，响应速度慢，当电流瞬间变化时，不能及时地对mos管进行保护，存在响应速度慢导致mos管烧毁的情形。因此，如何及时地对较大电流进行响应以保护mos管，是一个亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种含有过流保护的驱动电路、电路板及电子设备，能够在mos管通过较高电流时快速关断mos管，从而对mos管进行过流保护。
2、根据本申请第一方面实施例的含有过流保护的驱动电路，包括：
3、晶体管驱动电路，所述晶体管驱动电路用于和负载电连接；所述晶体管驱动电路设置有mos管，所述mos管用于根据输入的驱动信号驱动所述负载；
4、过流保护电路，包括压降模块和导通模块，所述压降模块连接所述mos管的栅极；所述导通模块分别和所述mos管的栅极、漏极电连接；
5、其中，当所述mos管导通时的工作电流超过第一设定值，则所述压降模块
6、根据本申请实施例的含有过流保护的驱动电路，至少具有如下有益效果：通过设置有晶体管驱动电路、过流保护电路，晶体管驱动电路设置有mos管，且过流保护电路包括压降模块和导通模块，当mos管导通时的工作电流超过第一设定值，则压降模块用于通过自身超过第二设定值的压降使导通模块导通，使得mos管的栅极的驱动信号接地，以关断mos管。本申请的含有过流保护的驱动电路，通过设置压降模块和导通模块，当mos管导通时的工作电流超过第一设定值，压降模块本身的压降也随之增大，因为导通模块和压降模块都和mos管栅极电连接，当压降模块的压降增大，加载在导通模块的电压也随之增大，进而使得导通模块导通，使得驱动信号流经导通模块接地，不需经过控制系统进行处理，直接通过硬件进行触发并处理，达到快速响应较大电流并关断mos管的目的。因此，本申请的含有过流保护的驱动电路，能够在mos管通过较高电流时快速关断mos管，从而对mos管进行过流保护。
7、根据本申请的一些实施例，所述晶体管驱动电路包括栅极驱动电路和主驱动电路，所述主驱动电路设置有所述mos管，所述栅极驱动电路和所述mos管的栅极电连接，所述导通模块的第一端通过所述栅极驱动电路和所述mos管的栅极电连接，所述导通模块的第二端和所述主驱动电路中的所述mos管的漏极电连接。
8、根据本申请的一些实施例，所述导通模块包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第一电容、第二电阻，所述栅极驱动电路包括第三电阻、第四电阻、第二电容，所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端电连接，所述第二电容的一端和所述第三电阻的另一端电连接，所述第四电阻的另一端和所述第二电容的另一端、所述mos管的栅极电连接，所述第一三极管的发射极、所述第一电阻的一端均电连接于所述第三电阻和所述第四电阻之间，所述第一三极管的基极分别和所述第二三极管的集电极、所述第一电阻的另一端电连接，所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的发射极电连接并接地，所述第二三极管的基极和所述第一电容的一端、所述第二电阻的一端电连接，所述第一电容的另一端、所述第二电阻的另一端和所述mos管的漏极电连接。
9、根据本申请的一些实施例，所述压降模块的一端电连接于所述mos管的栅极和所述第四电阻之间，当所述mos管导通时的工作电流超过第一设定值，则所述压降模块的压降超过第二设定值使所述第二三极管导通，所述第二三极管导通后使所述第一三极管导通，以使所述驱动信号流经所述第一三极管接地。
10、根据本申请的一些实施例，所述第一三极管为pnp三极管，所述第二三极管为npn三极管。
11、根据本申请的一些实施例，所述主驱动电路包括二极管和所述mos管，所述二极管的输入端用于连接所述负载，所述二极管的输出端和所述mos管的漏极电连接。
12、根据本申请的一些实施例，所述压降模块包括单向tvs管、第三电容、第五电阻，所述单向tvs管的输出端、所述第三电容的一端、第五电阻的一端和所述mos管的栅极电连接，所述单向tvs管的输入端、所述第三电容的另一端、第五电阻的另一端接地；所述主驱动电路还设置有所述第六电阻，所述第六电阻的一端和所述mos管的源级电连接，所述第六电阻的另一端接地。
13、根据本申请的一些实施例，所述第六电阻为两个功率为2w的相互并联的电阻。
14、根据本申请第二方面实施例的电路板，所述电路板包括如第一方面实施例所述的含有过流保护的驱动电路。
15、根据本申请第三方面实施例的电子设备，所述电子设备包括如第一方面实施例所述的含有过流保护的驱动电路。
16、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种含有过流保护的驱动电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述晶体管驱动电路包括栅极驱动电路和主驱动电路，所述主驱动电路设置有所述MOS管，所述栅极驱动电路和所述MOS管的栅极电连接，所述导通模块的第一端通过所述栅极驱动电路和所述MOS管的栅极电连接，所述导通模块的第二端和所述主驱动电路中的所述MOS管的漏极电连接。
3.根据权利要求2所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述导通模块包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第一电容、第二电阻，所述栅极驱动电路包括第三电阻、第四电阻、第二电容，所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端电连接，所述第二电容的一端和所述第三电阻的另一端电连接，所述第四电阻的另一端和所述第二电容的另一端、所述MOS管的栅极电连接，所述第一三极管的发射极、所述第一电阻的一端均电连接于所述第三电阻和所述第四电阻之间，所述第一三极管的基极分别和所述第二三极管的集电极、所述第一电阻的另一端电连接，所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的发射极电连接并接地，所述第二三极管的基极和所述第一
4.根据权利要求3所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述压降模块的一端电连接于所述MOS管的栅极和所述第四电阻之间，当所述MOS管导通时的工作电流超过第一设定值，则所述压降模块的压降超过第二设定值使所述第二三极管导通，所述第二三极管导通后使所述第一三极管导通，以使所述驱动信号流经所述第一三极管接地。
5.根据权利要求3所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述第一三极管为PNP三极管，所述第二三极管为NPN三极管。
6.根据权利要求2所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述主驱动电路包括二极管和所述MOS管，所述二极管的输入端用于连接所述负载，所述二极管的输出端和所述MOS管的漏极电连接。
7.根据权利要求2所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述压降模块包括单向TVS管、第三电容、第五电阻，所述单向TVS管的输出端、所述第三电容的一端、第五电阻的一端和所述MOS管的栅极电连接，所述单向TVS管的输入端、所述第三电容的另一端、第五电阻的另一端接地；所述主驱动电路还设置有第六电阻，所述第六电阻的一端和所述MOS管的源级电连接，所述第六电阻的另一端接地。
8.根据权利要求7所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述第六电阻为两个功率为2W的相互并联的电阻。
9.一种电路板，其特征在于，所述电路板包括如权利要求1至8任意一项所述的含有过流保护的驱动电路。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至8任意一项所述的含有过流保护的驱动电路。
...【技术特征摘要】
1.一种含有过流保护的驱动电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述晶体管驱动电路包括栅极驱动电路和主驱动电路，所述主驱动电路设置有所述mos管，所述栅极驱动电路和所述mos管的栅极电连接，所述导通模块的第一端通过所述栅极驱动电路和所述mos管的栅极电连接，所述导通模块的第二端和所述主驱动电路中的所述mos管的漏极电连接。
3.根据权利要求2所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述导通模块包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第一电容、第二电阻，所述栅极驱动电路包括第三电阻、第四电阻、第二电容，所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端电连接，所述第二电容的一端和所述第三电阻的另一端电连接，所述第四电阻的另一端和所述第二电容的另一端、所述mos管的栅极电连接，所述第一三极管的发射极、所述第一电阻的一端均电连接于所述第三电阻和所述第四电阻之间，所述第一三极管的基极分别和所述第二三极管的集电极、所述第一电阻的另一端电连接，所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的发射极电连接并接地，所述第二三极管的基极和所述第一电容的一端、所述第二电阻的一端电连接，所述第一电容的另一端、所述第二电阻的另一端和所述mos管的漏极电连接。
4.根据权利要求3所述的含有过流保护的驱动电路，其特征在于，所述压降模块的一端电连接于所述mos管的栅极和所述第四电阻之间，当所...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷晶晶，熊本波，刘涛涛，
申请(专利权)人：欣旺达动力科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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