半导体背面用切割带集成膜制造技术

本发明专利技术提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层的至少一部分已通过用放射线照射而预先固化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用所述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和倒装芯片安装的半导体器件。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中借助于倒装芯片接合将半导体元件例如半导体芯片安装 (倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可能存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至10)。专利文献1 JP-A-2008-166451专利文献2 JP-A-2008-006386专利文献3 JP-A-2007-261035专利文献4 JP-A-2007-250970专利文献5 JP-A-2007-158026专利文献6 JP-A-2004-221169专利文献7 JP-A-2004-214288专利文献8 JP-A-2004-142430专利文献9 JP-A-2004-072108专利文献10 JP-A-2004-063551然而，为了通过保护膜保护半导体芯片背面，需要添加新步骤以将保护膜粘贴至在切割步骤中获得的半导体芯片的背面。结果，步骤数量增加以及生产成本等增加。因此， 出于减少生产成本的目的，本专利技术人开发了半导体背面用切割带集成膜。半导体背面用切割带集成膜具有包括以下的结构具有基材和在基材上的压敏粘合剂层的切割带，和形成于切割带的压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜。在生产半导体器件时，如下使用半导体背面用切割带集成膜。首先，将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜中的倒装芯片型半导体背面用膜上。接下来，切割半导体晶片以形成半导体元件。随后，将半导体元件从切割带的压敏粘合剂层剥离并与倒装芯片型半导体背面用膜一起拾取，然后将半导体元件倒装芯片连接至被粘物如基板上。由此，获得倒装芯片型半导体器件。然而，在上述半导体背面用切割带集成膜中，在压敏粘合剂层与倒装芯片型半导体背面用膜的紧密粘合性高的情况下，半导体元件的拾取在一些情况下变得困难。此外，可以考虑使用照射固化型压敏粘合剂层作为压敏粘合剂层并且在拾取半导体元件时将压敏粘合剂层照射_固化以改进拾取性的方法，但存在由于压敏粘合剂层的固化和收缩而导致在整个半导体背面用切割带集成膜上发生翘曲(warp)的情况。
技术实现思路
考虑到前述问题进行本专利技术，其目的是提供在与倒装芯片型半导体背面用膜一起拾取时能够容易剥离半导体元件并由此能够改进生产率的半导体背面用切割带集成膜，以及生产半导体器件的方法。为了解决前述问题，本专利技术人已进行了广泛和深入的研究。结果，已发现前述问题可通过采用以下构造解决，由此导致完成本专利技术。S卩，本专利技术提供半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层的至少一部分已通过用放射线照射而预先固化。作为上述构造，由于通过用放射线照射而预先固化的压敏粘合剂层，导致例如在拾取半导体元件时在压敏粘合剂层和倒装芯片型半导体背面用膜之间显示良好的剥离性而无需用放射线照射。结果，能够改进拾取性。此外，由于不需要用放射线照射的步骤，因此能够减少用于生产半导体器件的生产步骤的数量，也能够降低生产成本。倒装芯片型半导体背面用膜优选粘贴至通过用放射线照射而预先固化的压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜。根据该构造，压敏粘合剂层的表面是硬的，并且在粘贴至倒装芯片型半导体背面用膜时，变得可以降低两者之间的紧密粘合性。因此，降低压敏粘合剂层和倒装芯片型半导体背面用膜之间的锚固效果，并且例如，在拾取半导体芯片时压敏粘合剂层和倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离性变得良好。结果，能够改进拾取性。此外，当通过用放射线照射来固化压敏粘合剂层时，由于形成交联结构导致压敏粘合剂层的体积减小。因此，例如，当粘贴至倒装芯片型半导体背面用膜后形成通过用放射线照射而固化的压敏粘合剂层时，给予倒装芯片型半导体背面用膜以应力。结果，在一些情况下在整个半导体背面用切割带集成膜上发生翘曲。然而，在上述构造中，在通过用放射线照射而固化压敏粘合剂层后粘贴和形成倒装芯片型半导体背面用膜，因此能够防止给予倒装芯片型半导体背面用膜不必要的应力。结果，获得没有翘曲的半导体背面用切割带集成膜。通过用放射线照射而预先固化的压敏粘合剂层的部分优选在上述倒装芯片型半导体背面用膜中对应于半导体晶片粘贴部分的部分。根据该构造，通过用放射线照射而预先固化对应于半导体晶片粘贴部分的压敏粘合剂层的部分，仅在该部分降低压敏粘合力。 从而，在压敏粘合剂层的其它部分不降低压敏粘合力，因而，在切割半导体晶片时能够抑制芯片飞散的发生并能够显示用于加工半导体晶片的充分的保持力。倒装芯片型半导体背面用膜优选包含着色剂。由于该构造，倒装芯片型半导体背面用膜可具有显示优良的激光标识性和优良的外观性的功能。结果，例如，能够通过倒装芯片型半导体背面用膜，通过利用任何各种标识法如印刷法和激光标识法进行标识，从而将各种信息如文字信息和图形信息赋予至半导体元件或使用半导体元件的半导体器件的非电路侧的面上。此外，倒装芯片型半导体背面用膜和切割带可容易地彼此区分，因而可提高加工性等。此外，本专利技术还提供使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法，该方法包括将半导体晶片粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜中的所述倒装芯片型半导体背面用膜上，切割所述半导体晶片以形成半导体元件，将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和将所述半导体元件倒装芯片连接至被粘物上，其中从所述半导体晶片的粘贴至所述半导体元件的剥离，所述压敏粘合剂层没有用放射线照射。根据该方法，由于使用包括通过用放射线照射而预先固化的压敏粘合剂层的半导体背面用切割带集成膜，因此能够不用放射线照射压敏粘合剂层而良好地进行半导体元件的拾取。即，由于不需要用放射线照射的步骤，变得可以减少用于生产半导体器件的生产步骤的数量，因而能够降低生产成本。此外，即使在半导体晶片具有规定电路图案的情况下， 也能够防止发生由用放射线照射引起的电路图案中的问题。结果，变得可以生产高度可靠的倒装芯片型半导体器件。此外，本专利技术还提供通过如上所述的用于生产半导体器件的方法制造的倒装芯片型半导体器件。根据本专利技术，在包括含有基材和基材上的放射线固化型压敏粘合剂层的切割带以及形成于压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜的半导体背面用切割带集成膜中， 采用通过用放射线照射而预先固化的压敏粘合剂层。因此，即使不用放射线照射，压敏粘合剂层和倒装芯片型半导体背面用膜之间的良好剥离也变得可能。结果，例如，在拾取半导体元件时，不需要用放射线照射的步骤，可以减少生产步骤的数量。此外，即使在半导体晶片具有规定电路图案的情况下，也能够防止发生由用放射线照射而引起的电路图案中的问题。结果，可以生产高度可靠的倒装芯片型半导体器件同时降低生产成本。附图说明图1为示出本专利技术的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的截面示意图。图2为示出本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层的至少一部分已通过用放射线照射而预先固化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，志贺豪士，浅井文辉，山本晃好，高桥智一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP