一种化学机械研磨设备制造技术

本发明专利技术涉及一种化学机械研磨设备，包括：研磨头，所述研磨头内部具有气体加压室；气体连通管，与所述气体加压室连通；气压控制阀，设置于所述气体连通管上；过滤装置，固定设置于所述气体连通管上，位于所述气体加压室与所述气压控制阀之间。本发明专利技术所述化学机械研磨设备在与研磨头气体加压室相连通的气体连通管上设置过滤装置，所述过滤装置填充在所述气体连通管上，保障气体连通管气体连通的同时，有效阻止晶圆碎片及其他杂质进入气压控制阀造成损伤，从而大大降低成本并提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺制造设备，尤其涉及一种化学机械研磨设备。
技术介绍
随着超大规模集成电路ULSI (Ultra Large Scale Integration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。为了提高集成度，降低制造成本，元件的特征尺寸 (Feature Size)不断变小，芯片单位面积内的元件数量不断增加，平面布线已难以满足元件高密度分布的要求，只能采用多层布线技术，利用芯片的垂直空间，进一步提高器件的集成密度。但多层布线技术的应用会造成硅片表面起伏不平，对图形制作极其不利。为此，需要对不规则的晶片表面进行平坦化(Planarization)处理。目前，化学机械研磨法(CMP， Chemical mechanical Polishing)是达成全局平坦化的最佳方法，尤其在半导体制造工艺技术。化学机械研磨法(CMP)是一个复杂的工艺过程，它是通过晶片和研磨垫之间的相对运动平坦化晶片表面的，其所用设备常称为研磨设备或抛光机。研磨时，将要研磨的晶片的带研磨面向下附着在研磨头上，晶片的待研磨面接触相对旋转的研磨垫，研磨头提供的下压力将晶片紧压到研磨垫上，当本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种化学机械研磨设备，其特征在于，包括：研磨头，所述研磨头内部具有气体加压室；气体连通管，与所述气体加压室连通；气压控制阀，设置于所述气体连通管上；过滤装置，固定设置于所述气体连通管上，位于所述气体加压室与所述气压控制阀之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高喜峰，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31