半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在水平方向上延伸的半导体材料的基板。多个层间电介质层在基板上。提供多个栅图案，每个栅图案在相邻的下层间电介质层与相邻的上层间电介质层之间。半导体材料的垂直沟道在基板上并沿垂直方向延伸穿过多个层间电介质层和多个栅图案。垂直沟道具有外侧壁，外侧壁具有多个沟道凹陷，每个沟道凹陷对应于多个栅图案中的栅图案。垂直沟道具有内侧壁，内侧壁在垂直方向线形延伸。信息存储层存在于每个栅图案与垂直沟道之间在凹陷中，使栅图案与垂直沟道绝缘。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及，更具体地，涉及垂直型非易失存储器件 (vertical type nonvolatile memory device)及其制造方法。
技术介绍
为了满足消费者对优异性能和低廉价格的需要，要求提高半导体器件的集成度。 在半导体存储器的情况下，由于集成度是确定产品价格的重要因素，所以提高集成度尤其 重要。在典型的二维或平面半导体存储器的情况下，由于器件的集成度主要由单位存储单 元占据的电路面积决定，所以集成度受到形成精细图案的能力很大影响。然而，由于需要极 其昂贵的半导体设备来进一步提升图案精细度，所以二维半导体存储器的进一步集成是不 实用的。已经提出了三维半导体存储器作为替代者来解决与二维器件相关的限制。然而， 为了实现三维半导体存储器的批量生产，需要能降低每位的制造成本又能实现可靠的产品 特性的工艺技术。
技术实现思路
在一方面，一种半导体器件包括在水平方向上延伸的半导体材料的基板；在所 述基板上的多个层间电介质层；多个栅图案，每个栅图案在相邻的下层间电介质层与相邻 的上层间电介质层之间；半导体材料的垂直沟道，在所述基板上并沿垂直方向延伸穿过所 述多个层间电介质层与所述多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：在水平方向上延伸的半导体材料的基板；在所述基板上的多个层间电介质层；多个栅图案，每个栅图案在相邻的下层间电介质层与相邻的上层间电介质层之间；半导体材料的垂直沟道，在所述基板上并沿垂直方向延伸穿过所述多个层间电介质层和所述多个栅图案，所述垂直沟道具有外侧壁，该外侧壁具有多个沟道凹陷，每个沟道凹陷对应于所述多个栅图案中的栅图案，所述垂直沟道具有内侧壁；以及信息存储层，在每个栅图案与所述垂直沟道之间在所述凹陷中，使所述栅图案与所述垂直沟道绝缘。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙龙勋，黄棋铉，白升宰，郑载勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR