一种GaAs基LED芯片的激光切割方法技术

本发明专利技术提供了一种GaAs基LED芯片的激光切割方法，该方法是在GaAs芯片N面用激光切割形成激光划痕，然后在GaAs芯片P面用裂片机沿激光划痕将芯片裂开，形成激光划痕的深度为芯片厚度的1/10-4/5。本发明专利技术结合激光切割的方法，改变切割方式，采取背划进行激光切割GaAs基LED芯片，最大限度的保留了芯片原材料区域，使发光面积的破坏降至最低，对芯片的产能和芯片亮度都有一个很大的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及砷化镓(GaAs)基发光二极管(LED)芯片的切割工艺，属于半导体芯片 切割

技术介绍
GaAs基LED芯片制备工艺中的切割工艺是将整片芯片分割成单一芯片，目前GaAs 基LED芯片切割多使用金刚石刀具进行机械切割。机械切割生产效率低，刀片磨损快，在切 割过程中要求对砂轮及芯片不间断喷洒去离子水，生产成本高；且机械切割时刀片直接与 芯片接触，芯片侧边容易产生崩边、崩角和裂纹，产品合格率低。随激光技术的发展激光切割逐渐实用化，其工艺过程是先通过激光在芯片表面灼 烧出划痕，然后再用裂片机将芯片沿划痕裂开。激光切割应用于GaAs基LED芯片使生产效 率和产品合格率大幅提升，切割过程无需去离子水，降低了生产成本。但传统的激光切割 GaAs芯片方法也存在一些问题，例如激光切割产生热效应区域，会破坏原材料甚至会破坏 切割处邻近的芯片结构，激光照射区域还会产生难以清除的碎屑，这些都会对芯片品质造 成影响。针对这些问题，人们设计划线槽，在划线槽内形成激光划痕，避免激光照射对芯片 结构的破坏。中国专利文献CN 101165877A公开了一种《砷化镓晶片的激光加工方法》，沿 着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＧａＡｓ基ＬＥＤ芯片的激光切割方法，其特征是：在ＧａＡｓ芯片Ｎ面用激光切割形成激光划痕，然后在ＧａＡｓ芯片Ｐ面用裂片机沿激光划痕将芯片裂开，形成激光划痕的深度为芯片厚度的１／１０－４／５，具体包括以下步骤：（１）将ＧａＡｓ基ＬＥＤ芯片贴在一张膜上，使芯片的Ｐ面朝向这张膜，Ｎ面朝上，放置于激光划片机内的转盘上，调节芯片水平，确定芯片切割范围并确定切割道；（２）将激光器发出的连续激光经过一个修正光路后聚焦到ＧａＡｓ基ＬＥＤ芯片上表面，开始切割，切割深度为芯片厚度的１／１０－４／５；所述修正光路包括五个全反镜和四个透视镜，五个全反镜依次设置在激光划片机的激光器和激光头之间，其中三个透视镜并排排列...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵霞焱，徐现刚，张秋霞，黄少梅，
申请(专利权)人：山东华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：88