【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于发光二极管领域，涉及，在发光二级管制备过程中对芯片切割道的清理方法的改进。
技术介绍
随着近年来全球绿色环保、节能安全意识的不断提高，各类节能环保产品被广泛关注，其中发光二极管(LED)的推广应用备受重视。发光二极管是一种将电能转化为光能的发光器件，主要应用于照明、显示、指示、装饰领域。随着全世界节能环保意识的不断提高，发光二极管凭借其灯拥有“比节能灯还节电80%”的良好性能，近年来越来越多地被广泛运 用，很多国家开始已经取代白炽灯。然而发光二极管芯片的切割一直是影响发光二极管灯质量的关键因素之一，而激光切割后的清理是其中最主要的原因。发光二极管芯片的切割即把整个芯片切割成若干个二极管发光单元，在发光二极管芯片研磨抛光后用激光对芯片进行激光切割划出切割道，而后沿切割道将芯片裂开。在激光切割之前我们为了使芯片不受污染均会在芯片表面涂上保护液，虽然各家保护液厂商宣称保护液是水溶性，只需使用清水即可将芯片上的保护液清洗掉。但保护液经过高温烧熔后会有残留的烧熔物在芯片表面、走道上面及侧边，造成发光二极管亮度出光受到阻碍，亮度有5%-15%的衰减。专利技术内...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片的激光切割后清理方法，其特征在于在整个清理过程芯片均浸泡于KOH溶液中进行。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟馨苇，林志强，庄文荣，孙明，
申请(专利权)人：江苏汉莱科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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