环氧树脂组合物和半导体装置制造方法及图纸

环氧树脂组合物，其是以如下的(A)～(D)为必要成分的环氧树脂组合物，其中，(A)环氧树脂：100质量份、(B)胺系固化剂：使[(A)成分中环氧基的摩尔量/(B)成分中的与环氧基具有反应性的基团的摩尔量]为0.7～1.2的量、(C)平均粒径为0.1～2μm且最大粒径为24μm以下的无机填充剂：50～300质量份和(D)平均粒径为0.1～10μm且最大粒径为24μm以下、聚有机倍半硅氧烷树脂包覆于硅橡胶球状微粒而成的有机硅微粒：1～20质量份，该组合物特征在100～200Pa的减压下于100℃加热30分钟后的减少量为3质量％以下，表面张力为25mN/m以上。可提供不发生与半导体元件和基材的剥离，并且即使被置于真空下也不起泡的可靠性高的环氧树脂组合物和半导体装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及环氧树脂组合物和半导体装置。
技术介绍
随着电气设备的小型化、轻量化和高性能化，半导体的封装方法也从引脚插入型发展成表面封装为主流。其中，倒装芯片(flip-chip)为通过在有机基板的布线图案面引入多个凸点而装载半导体芯片的方式，底部填充材料被填充到上述有机基板和半导体芯片的缝隙间及焊料凸点间的缝隙间。在下一代中，研究了凸点间距变窄，为50微米以下且大型模具尺寸的半导体装置。在更下一代的倒装芯片中，报道了在形成有多层布线的电路基板(内插板)上，半导体芯片通过倒装芯片连接而被朝下封装(专利文献1 特开 2007-42902 号公报)。近年来，逐渐应用通过连接技术的进一步提高，具有TSV(Through SiliconeVias, 硅通孔)结构的半导体元件，无铅凸点的部件正在转变为铜凸点。在这样的半导体装置中使用以往已知的底部填充材料组合物时，注入需要时间， 扩散不到中心附近，有时会在树脂内产生气泡等的孔洞。为了解决这些问题，提出了真空底部填充成型装置等(专利文献2 专利第4278279号公报，专利文献3 特开2008-113045号公报)。上述专利文献2、3中记载的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．环氧树脂组合物，其是以如下的（Ａ）～（Ｄ）为必要成分的环氧树脂组合物，其中，（Ａ）环氧树脂：１００质量份，由（Ａ－１）和（Ａ－２）组成；（Ａ－１）选自常温下为液体、２５℃下的粘度为１～１００Ｐａ·ｓ的双酚Ａ型环氧树脂、双酚Ｆ型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、联苯型环氧树脂、环戊二烯型环氧树脂和由下述结构式（ｉ）～（ｉｉｉ）所示的环氧树脂中的至少一种的环氧树脂－１，式中，Ｒ为碳数１～２０的一价烃基，ｎ为１～４的整数；（Ａ－１）在（Ａ）成分中为５０～９９质量％，（Ａ－２）选自由下述结构式所示的、常温下为液体、２５℃下的粘度为０．０１～１０Ｐａ·ｓ的含有环...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：隅田和昌，木村靖夫，福井贤司，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP