胺化合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法技术

本发明专利技术涉及胺化合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明专利技术提供为正型、负型皆是高感度，且能改善LWR、CDU的化学增幅抗蚀剂组成物、该化学增幅抗蚀剂组成物使用的淬灭剂、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。下式(1)表示的胺化合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于胺化合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。

技术介绍

1、伴随lsi的高整合化及高速化，图案规则的微细化急速进展。尤其智慧手机的普及所致的逻辑存储器市场的扩大牵引着微细化，就最先进的微细化技术而言，利用arf浸润光刻的双重图案化所为的10nm节点的器件的量产已在进行，于下一代，同样利用双重图案化所为的7nm节点的器件的量产准备正在进行中。就下下一代的5nm节点而言，可列举极紫外线(euv)光刻为候选技术。

2、逻辑器件中的微细化进行当中，另一方面，变成在快闪存储器中称为3d-nand的栅叠层成的器件，叠层数增加，使得容量增大。叠层数若增加，将其予以加工的硬掩膜变厚，光致抗蚀剂膜也加厚。逻辑器件用的抗蚀剂，会驱向薄膜化，3d-nand用抗蚀剂，则趋向厚膜化。

3、微细化进行且逐渐逼近光的绕射极限，伴随于此，光的对比度降低。由于光的对比度下降，于正型抗蚀剂膜发生孔图案、沟渠图案的分辨性、对焦宽容度的下降。抗蚀剂膜的厚膜化，回到以前的上一代器件用的抗蚀剂膜的膜厚，但要求更好的尺寸均匀性(cdu)，以前的光致抗蚀剂组成物本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种胺化合物，以下式(1)表示，

2.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，RAL为下式(AL-1)或(AL-2)表示的基团，

3.根据权利要求1所述的胺化合物，其以下式(1A)表示，

4.根据权利要求3所述的胺化合物，其以下式(1B)表示，

5.一种化学增幅抗蚀剂组成物，包含由根据权利要求1至4中任一项所述的胺化合物构成的淬灭剂。

6.根据权利要求5所述的化学增幅抗蚀剂组成物，包含含有下式(a1)或(a2)表示的重复单元的基础聚合物，

7.根据权利要求6所述的化学增幅抗蚀剂组成物，其中，该基础聚合物更含有下式(b...

【技术特征摘要】

1.一种胺化合物，以下式(1)表示，

2.根据权利要求1所述的胺化合物，其中，ral为下式(al-1)或(al-2)表示的基团，

3.根据权利要求1所述的胺化合物，其以下式(1a)表示，

4.根据权利要求3所述的胺化合物，其以下式(1b)表示，

5.一种化学增幅抗蚀剂组成物，包含由根据权利要求1至4中任一项所述的胺化合物构成的淬灭剂。

6.根据权利要求5所述的化学增幅抗蚀剂组成物，包含含有下式(a1)或(a2)表示的重复单元的基础聚合物，

7.根据权利要求6所述的化学增幅抗蚀剂组成物，其中，该基础聚合物更含有下式(b1)或(b2)表示的重复单元，

8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边朝美，福岛将大，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：